纳米WO3掺杂对气敏性能影响及气敏机理探讨.pdfVIP

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2017-09-21 发布于辽宁
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纳米WO3掺杂对气敏性能影响及气敏机理探讨.pdf

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·10 · 材料导报网刊 2011 年 12 月第 6 卷第 4 期纳米WO 掺杂对气敏性能影响及气敏机理探讨* 3 1 1 2 黄文华，丁涛，蒋凯（1 永城职业学院食品化工系, 永城 476600 ;2 河南师范大学化学与环境科学学院, 新乡 453007 ）摘要论述了 n 型半导体材料 WO3 的掺杂情况，并且就不同金属氧化物掺杂引起的气敏性能作了简单的分析，发现不同的金属氧化物掺杂对不同气体的灵敏度有不同程度的提高，同时探讨了 WO 对不同气体(H S、NO 、NH 、C H OH) 3 2 2 3 2 5 的敏感机理。关键词 Fe O 掺杂气敏性机理 2 3 Doped WO and Its Gas Sensitive Properties 3 1 1 2 HUANG Wenhua , DING Tao , JIANG Kai (1 Food And Chemical Department, Yongcheng Vocational College , Yongcheng 476600;2 College of Chemistry and Environmental Science, Henan Normal University , Xinxiang 453007) Abstract This paper detailedly discusses the doped of n type semiconductor material Fe O in this text,and simply analyse 2 3 the gas sensitive properties of different metal oxide doping of WO ,finding that different metal oxide doped of WO dissimilarly 3 3 increase the gas sensitivity of gases, improve the gas sensitive properties of WO , in addition we briefly discuss the gas sensitive