InGaP-GaAs外延材料合金有序度的表征.pdfVIP

·20 · 材料导报网刊 2006 年 3 月第 1 期 InGaP/GaAs 外延材料合金有序度的表征 吴 静，尚勋忠 （湖北大学湖北省铁电压电材料与器件重点实验室，武汉 430062 ） 摘要 对InGaP/GaAs 外延材料合金有序度表征方法进行了综述,指出从结构（透射电子显微镜，X-Ray ）、光学性能（光 荧光谱, 喇曼光谱）、电学性能三方面度量InGaP/GaAs 材料的有序度。 关键词 InGaP/GaAs 有序度 X-Ray 光荧光谱 喇曼光谱 Alloy Order Characterization of InGaP/GaAs Epilayer WU Jing,SHANG Xunzhong (Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Piezoelectric Materials and Devices, Hubei University, Wuhan 430062) Abstract A summary of alloy order measurement of InGaP/GaAs epilayer is presented in this paper, which points out that alloy order value of InGaP/GaAs epilayer can be measured by microstructure (transmission electron microscopy, X-Ray), optical property (photoluminescence, Raman) and electrical properties. Key words InGaP/GaAs, order, X-Ray, photoluminescence, Raman 0 前言 含磷Ⅲ- Ⅴ族化合物是毫米波、亚毫米波器件与电路、光 [1] 。In Ga P(简写为 InGaP) 电器件、太阳电池的首选材料 0.48 0.52 同 GaAs 晶格匹配,室温直接禁带宽度为 1.9eV,是高效发光材 料[2] 。InGaP 是Ⅲ/ Ⅴ族化合物中价带不连续性最大的材料, 具有许多独特的优越性，因而备受重视[3] ： (1) InGaP/ GaAs 的ΔEv ～0.4eV, 比AlGaAs/ GaAs 大 286meV, AlGaAs/ GaAs 异质结能带不连续主要是导带ΔEC, 而 InGaP/GaAs 异质结 能带不连续主要是价带ΔE [4] 。高ΔE / ΔE 比有助于提高 V V C 异质结双极晶体管等器件的电子注入效率，从而提高增益。 ΔEV 大，器件就具有优良的高温特性。(2) InGaP/ GaAs 具 有高的选择腐蚀比, GaAs 比对InGaP 的选择腐蚀比大于200, 使器件工艺变得易于操作和控制，从而大大提高了器件的重 图 1 完全合金有序 InGaP 的晶体结构示意图 复性和成品率。(3) 不含 Al , 不存在 DX 中心, 从而提高了 Fig.1 Schematic illustration of the microstructure of 器件的可靠性。InGaP/ GaAs 体系兼备了 InP 基磷化物和 complete alloy order InGaP GaAs 基化合物的优点,