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毕业论文，毕业设计
黑龙江大学本科生
毕业论文（设计）档案 编码： 学院：电子工程学院 专业： 电子信息科学与技术 年级：2007 学生姓名： 贾斯琪 毕业论文题目：基于MATLAB的语音信号时频域参数分析 指导教师：张忠 装订日期：年 月 日 备注栏 摘要
关键词
纳米硅薄膜；纳米硅/单晶硅异质结；低压化学气相淀积
Abstract
Keywords
Nano-crystalline silicon;Nanocrystalline/Crystalline silicon heterojunction;LPCVD
目 录（黑体 小二）
摘要 I
Abstract II
（注：一级目录——黑体 小四； 二级目录——宋体 小四； 三级目录——宋体 小四
行间距——1.5倍行间距）
第一章 综 述 1
1.1 纳 1
1.2 纳 2
1.2.1 2
1.2.2 3
1.2.3 3
1.2.4 4
1.3 纳 4
1.4 本章小结 7
第二章 纳 8
2.1 纳 8
2.2 纳 9
2.3 本章小结 10
第三章 纳 11
3.1 纳 11
3.2 纳 11
3.3 纳 11
3.4 纳 12
3.5本章小结 14
第四章 纳 15
4.1 纳 15
4.2 纳 16
4.3 讨论 17
4.4 本章小结 18
结论 19
参考文献 21
致谢 24
1.2 纳米硅/单晶硅异质结的应用（黑体 小三）
（正文 宋体 小四 1.5倍行间距）
1.2.1 在集成电路方面的应用（黑体 四号）
（正文 宋体 小四 1.5倍行间距）
图标(黑体 五号)
1.2.2 在压力传感器方面的应用（黑体 四号）
（正文 宋体 小四 1.5倍行间距）
1.2.3 在太阳能电池方面的应用（黑体 四号）
（正文 宋体 小四 1.5倍行间距）
1.2.4 在发光器件方面的应用（黑体 四号）
（正文 宋体 小四 1.5倍行间距）
1.3 纳米硅薄膜的研究现状及发展趋势（黑体 小三）
（正文 宋体 小四 1.5倍行间距）
1.4 本章小结（黑体 小三）
本章主要对纳米硅/单晶硅异质结的国内外研究进展和最新成果进行了介绍，同时介绍了采用PECVD、LPCVD 第二章 纳米硅/单晶硅异质结的基本结构和制作工艺
（黑体 小二）
2.1 纳米硅/单晶硅异质结的基本结构（黑体 小三）
（正文 宋体 小四 1.5倍行间距）
2.2 纳米硅/单晶硅异质结制作的工艺过程
（正文 宋体 小四 1.5倍行间距）
2.3 本章小结（黑体 小三）
（正文 宋体 小四 1.5倍行间距）
第三章 纳米硅/单晶硅异质结特性（黑体 小二）
3.1 纳米硅3.2 纳米硅3.3 纳米硅/单晶硅异质结二极管I-V特性
（正文 宋体 小四 1.5倍行间距）
3.4 纳米硅/单晶硅异质结温度特性（黑体 小三）
（正文 宋体 小四 1.5倍行间距）
3.5本章小结（黑体 小三）
本章主要叙述了采用HP4145B半导体参数测试仪测试纳米硅/单晶硅异质结的I-V特性曲线，并把纳米硅薄膜厚度不同的异质结样品的特性曲线进行了比较，最后简单介绍了其温度特性曲线。
第四章 纳米硅/单晶硅异质结实验结果与讨论
（黑体 小二）
4.1 纳米硅/单晶硅异质结I-V特性测试结果与分析（黑体 小三）
（正文 宋体 小四 1.5倍行间距）
(4-1)
（注：公式采用公式编辑器编写）
4.4 本章小结（黑体 小三）
本章给出了制得的纳米硅薄膜厚度为30nm的纳米硅/单品硅异质结在常温、恒定自然光源下测得的I-V特性曲线并做了简单的分析。在温度从-20℃到40℃变化时，I-V特性曲线温度实验表明，I-V特性曲线并没有随温度发生非常明显的变化。本章对上述实验结果进行了分析。并给出了改进方案。 结论
（黑体 小二）
本文在综述国内外纳米硅/单晶硅研究现状的基础上，纳米硅/单晶硅异质结的结构制作特性进行了理论分析和实验研究。研究内容有：
设计给出了纳米硅/单晶硅异质结的基本结构及工艺过程。
参考文献（黑体 小二）
[1] Park CH,Lee JY,Im S,etal.n-ZnO/p-Si photodiodes fabricated using ion-beam induced isolation technique[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.2003,(206):432-435.
[2] Park CH,
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