北大宽禁带半导体报告.pdfVIP

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2017-09-21 发布于福建
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北大宽禁带半导体报告.pdf

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宽禁带半导体张国义北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心参考书 • Properties of Group III Nitrides, Edited by James H. Edgar, EMIS Datareviews Series No.11, 1988 • Gallium Nitride (GaN), (I and II) Semiconductors and Semimetals Vol. 56, 57,1999, Academic Press • The blue Laser Diode, GaN Based Light Emitters and Lasers, Shuji Nakamura, Pringer-Verlag Berlin Heidelberg New York, 1997 • Organometallic Vapor-Phase Epitaxy, Theory and Practice, Gerald B. Stringfellow, (second edition), Academic Press, 1999 Features Reference Database, 4388 items. MIJ-NSR WebLog, (updated Thursday, December 4, 2003) Nitride Calendar, (updated Monday, December 6, 2004) Nitride People Nitride Links , 63 items. 在半导体工业中,人们习惯地把锗(Ge)、硅(Si)为代表的元素半导体材料称为第一代半导体材料,把砷化镓 (GaAs)、磷化铟(InP)为代表的化合物半导体材料称为第二代半导体材料,而把氮化镓(GaN) 、碳化硅 (SiC)、氧化锌（ZnO ）为代表的半导体材料称为第三代半导体材料. 由于这些材料的禁带宽度较Si、 GaAs等材料更宽,因而它们一般具有更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频及大功率器件, 故称这类材料为宽禁带半导体材料(WBG) （通常指禁带宽度大于 2 . 2 电子伏特的半导体材料）,也称高温半导体材料。内容提要 • 一、宽禁带半导体 • 二、氮化物半导体的用途 • 三、主要发展趋势一、宽禁带半导体 InN-GaN-AlN system covers a wide range of spectrum 7 Direct band gap AlN 6 Indirect band gap ) V MgS e 5 ( y g ZnS r MgSe e 4 n GaN e