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* 汪昭辉 2013/05/09 江苏宇兆能源科技有限公司 PECVD工艺培训 * 什么是PECVD 等离子体： 所谓等离子体，是指气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子态。。 PECVD：Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition 等离子增强化学气相沉积 PECVD ： 是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 等离子体在化学气相沉积中有如下作用： (1).将反应物中的气体分子激活成活性离子，降低反应所需的温度； (2).加速反应物在基片表面的扩散作用（表面迁移作用），提高成膜速度； (3).对于基体表面及膜层表面具有溅射清洗作用，溅射掉那些结合不牢的粒子，从而加强了形成的薄膜和基片的附着力； (4).由于反应物中的原子、分子、离子和电子之间的碰撞、散射作用，使形成的薄膜厚度均匀 * PECVD的目的 在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。其具有卓越的抗氧化和绝缘性能，同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽扩散的能力；它的化学稳定性也很好，除氢氟酸和热磷酸能缓慢腐蚀外，其它酸与它基本不起作用。 * 1.保护硅片表面不受污染物质的影响。 2. 一.在晶体硅电池表面形成SiNx:H介质薄膜,利用该介质薄膜折射率与晶体硅材料有较好的光学匹配特性,可以获得好减反射的效果，达到增强硅电池光吸收的目的。 3.利用氢钝化晶体硅表面悬挂键缺陷同时钝化体内的悬挂键等缺陷，减少表面复合速度，提高硅电池的电性能。 PECVD的作用 * PECVD的原理： ①反应原理： ②减反射原理： SiNx减反膜是一层透明介质膜，介质膜的两个界面上反射光相互干涉，以降低反射率。 ③钝化原理： 薄膜中有较高含量的氢，容易和空位形成氢一空位对{V. H}+。空位还能增强氢的扩散，使氢与缺陷及晶界处的悬挂键结合，从而减少界面态密度和复合中心。正电荷{V. H}+也改善了SixNy/Si的界面状态。SixNy膜中更多的氢溢出，到达界面或进入硅中，消除悬挂键的活性，从而获得更高的少子寿命。 PECVD沉积氮化硅膜后，单晶硅少子寿命的提高主要是因为好的表面钝化。对于多晶硅和其他低质量的硅片（如硅带），因为体内具有大量的空位、缺陷和晶界等，除了表面钝化效果。因此，低质量硅片的氢钝化效果更明显。 PECVD设备分类： ①间接等离子：等离子没有直接和硅片接触，基片不接触激发电极（ RothRau） ②直接等离子：等离子直接接触硅片，基片位于一个电极上，直接接触等离子体( Centrotherm 、岛津) 间接等离子 直接等离子 等离子不直接接触硅片 等离子直接接触硅片，会对硅片表面造成轰击 等离子高能量密度 等离子低能量密度 高效的间接激活方式 point-of-use的激活方式 downstream丧失有活性的反应物 downstream短，反应物可以被激活 高频限制沉积区域 低频可以满足较大的沉积区域 存在混合和沉积的均匀性问题 混合和沉积降至最低的不均匀 硅片不会影响等离子的控制 硅片会影响等离子的控制，会造成色差等影响 没有等离子加热 等离子加热硅片，钝化效果会加强 只会由于机器本身产生色差片 除了机器本身，还有其他原因产生色差片 直接等离子与间接等离子各自特点与区别： 影响镀膜效果的主要参数以及膜的基本特性: (1).镀膜工艺时候真空压力 工艺上：压强太低，生长薄膜的沉积速率较慢，薄膜的折射率也较低；压强太高，生长薄膜的沉积速率较快，片之间的均匀性较差，容易有干涉条纹产生。 (2).镀膜工艺温度 氮化硅薄膜的生长速率随温度的升高先升高然后下降。一方面这是因为在PECVD 生长氮化硅薄膜的过程中,气体的等离子体在基片表面沉积和挥发两种机制同时进行,随着温度的升高,表面沉积量和挥发量都会升高;但是当温度升高到一定值后,挥发量与表面沉积量之间的平衡被打破,挥发量大于表面沉积量,所以最终淀积到基片表面的速率会下降 。 影响镀膜效果主要的机器本身工艺参数有： (1).石墨舟本身的使用状况 (2).硅片表面形貌（制绒减薄量）的差异 由于管式PECVD是直接镀膜过程，镀膜效果会受到很多外界因素的干扰，并且这些干扰对膜的质量产生很严重的影响； (3).镀膜工艺 NH3/SIH4 气体流量比 生长速率随流量比的增加而增加,这是因为当NH3流量增加时,生长出的氮化硅中的H含量增加,薄膜中的Si - H键、