柴进论文开题报告.pptVIP

硅微通道阵列氧化绝缘技术及应力问题研究 专业：微电子学与固体电子学 导师：端木庆铎 学生：柴进 学号：S110100136 目录 研究背景 研究目的及意义 研究内容 研究路线及方法 进度安排 研究背景 20世纪60年代末开发成功的微通道板作为简单紧凑的电子倍增器件。 美国于 1990年用反应离子刻蚀工艺制作出了边长为40μm，中心距为6μm，深为40μm的方孔微阵列。 1999年12月，美国纳米科学公司在N型硅上用电化学腐蚀技术制作出了方孔边长为5μm壁厚为2μm、深度为200μm和方孔边长为7μm、壁厚为1μm，深度为300μm的微通道列阵。 在硅微通道的氧化过程中，除了微孔的形状发生了变化以外，还有一个非常重要的现象，就是微通道板的总体结构也会发生形变要将硅微通道板应用于实际生产当中，微通道板必须比较平坦，才能为后续的加工提供好的基础。所以，微通道板在氧化这一步产生弯曲变形必须引起足够的重视，能否解决这个弯曲变形的问题关系到微通道板在后续生产中的应用，决定了氧化后的微通道板是否能够更好的应用于广阔的军事、医学、科研领域。所以我们必须着手研究微通道板在氧化过程中产生弯曲变形的原因，进而解决这个问题。 研究目的及意义 光电倍增器件的制备需要使用热氧化的方法在微通道内部产生一层起电绝缘作用的二氧化硅，从而提高器件的增益，找到合适的参数值和制备工艺，使得二氧化硅层的厚度、均匀性以及制作出来的氧化后的微通道符合要求。 氧化过程中微通道内产生的应力情况，调整氧化各种工艺参数，从而得到较好质量的微通道板。 研究内容 (1)硅微通道阵列结构氧化动力学特性分析 (2)厚二氧化硅层氧化及工艺问题研究 (3)通过ANSYS软件进行应力分析研究 研究路线及方法 (1)硅微通道阵列结构氧化动力学特性分析 通过研究干氧氧化，湿氧氧化表面化学反应的方程式及热氧化生长速率，确定界面的总的反应速率方程。 (2)厚二氧化硅层氧化及工艺问题研究 通过研究湿氧氧化的水气含量，水温和氧气的流量确定氧化速率中的扩散系数和溶解度；通过改变氧化剂压力可达到改变二氧化硅生长速率的目的，从而制备厚二氧化硅层。 (3)通过ANSYS软件进行应力分析研究 通过计算机ANSYS对硅微通道板产生的应力过程进行稳态热分析，热应力分析。 预期研究成果及创新点 预期研究成果 通过热氧化硅片机理和热扩散及应力究，通过改变氧化剂分压可达到改变二氧化硅生长速率的目的，完成制备厚二氧化硅层 。 得到制备厚二氧化硅制备时间，温度，氧气流量及产生热应力的各个因素。建立后期模拟模型。 预期创新点 在硅微通道阵列上制备厚二氧化硅层，厚度约3μm 实验设备要求 硅片，热氧化炉，石棉手套，石英舟，石英管，高纯氧气（99.95%），氮气，镊子，氢氟酸，双氧水，去离子水，盐酸，超声清洗机 测试项目：氧化硅微通道阵列后二氧化硅厚度。 测试仪器：台阶仪 研究可行性分析 研究室前期工作基础： 通过前期准备掌握ANSYS软件 ，为后期模拟模型做基础。 阅读国内外相关文献并作记录 。 本人理论基础准备情况分析 通过研究干氧氧化，湿氧氧化表面化学反应的方程式及热氧化生长速率，确定界面的总的反应速率方程。通过研究湿氧氧化的水气含量，水温和氧气的流量确定氧化速率中的扩散系数和溶解度；通过改变氧化剂分压可达到改变二氧化硅生长速率的目的，从而制备厚二氧化硅层。由热膨胀系数失配引起的应变和应力；研究影响大孔硅结构在热氧化过程中所产生热应力的各种因素。 研究进度安排 阅读国内外祥光文献并做记录。对研究内容中的硅微通道阵列热绝缘技术及应力问题进行深入研究（2012.8-2012.12） 深入了解制备工艺和实验器材，对硅微通道阵列热氧化方法有准确的掌握。并进行试验。（2013.1-2013.9） 整理实验数据并撰写论文（2013.10-2013.12） 谢谢各位老师 * * *