半导体器件(课件).ppt

第一章 半 导 体 器 件 目录2 1.3 双极型三极管 1.3.1 三极管的结构 1.3.2 三极管的放大作用和载流子的运动 1.3.3 三极管的特性曲线 1.3.4 三极管的主要参数 1.3.5 PNP型三极管 1.4 场效应管 1.4.1 结型场效应管 1.4.2 绝缘栅型场效应管 1.4.3 场效应管的主要参数 基本概念自测题 本章基本教学要求 1.要求掌握的内容: （1）半导体二极管的伏安特性及主要参数。 （2）稳压二极管的伏安特性及主要参数。 （3）半导体三极管的输入、输出特性及主要参数。 （4）场效应管的输出特性、转移特性及主要参数。 2.要求理解的内容： （1）PN结的单向导电性。 （2）半导体三极管的放大作用。 （3）场效应管的工作原理。 3.要求了解的内容： （1）半导体中的两种载流子。 （2）N型半导体和P型半导体以及PN结的形成。 １.１　半导体的特性 1.1.1 本怔半导体 1．高度纯净的、几乎不含杂质的半导体晶体称为本征半导体。 2．在0K时，本征半导体中没有载流子，它是良好的绝缘体。 3．本征激发→自由电子＋空穴（都是载流子）。 4．本怔半导体的载流子浓度低，且ni= pi。 5．本征半导体的载流子浓度与温度密切相关。 1.1.2 杂质半导体 1．N型半导体：也称电子型半导体，是在本征半导体掺入微量五价施主杂质而成。这种半导体中，多子—自由电子，少子—空穴，n p，np= ni pi= ni2　。还有不能自由移动的正离子（不属于载流子）。 2．P型半导体 2．P型半导体：也称空穴型半导体，是在本征半导体掺入微量三价受主杂质而成。这种半导体中，多子—空穴，少子—自由电子，pn，np= ni pi= ni2　。还有不能自由移动的负离子（不属于载流子）。 3．N型和P型半导体中，多子的浓度取决于掺杂的多少，掺入的杂质越多，多子浓度越大。少子由本征激发产生，其浓度主要取决于温度，温度越高，少子浓度越大。 4．转型：在N型半导体中掺入比原有的五价杂质更多的三价杂质元素，可转型为P型；在P型半导体中掺入足够的五价杂质元素也可转型为N型。 1.2 半导体二极管 1. PN结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 1.2.1 PN结及其单向导电性 PN结的形成过程 P区和N区载流子浓度差 →多子向对方扩散 →形成空间电荷区及内电场 →阻碍多子扩散、促进少子漂移 →扩散和漂移达到动态平衡 →形成稳定的空间电荷区，即PN结（又称阻挡层、耗尽层、势垒区）。 2. PN结的单向导电性 PN 结正向偏置 图1.2.2 PN结加正向电压时导通 PN 结正向偏置 →外电场削弱内电场， 阻挡层变薄 →多子扩散增强， 少子漂移减弱 →较大的正向电流I（因为是由多子扩散形成），外加正压对正向电流有很大的控制作用。 PN 结反向偏置 图1.2.3 PN结加反向电压时截止 PN 结反向偏置 →外电场增强内电场， 阻挡层变宽 →多子扩散减弱， 少子漂移增强 →很小的反向饱和电流IS（因为是由少子漂移形成），基本上不随外加电压变化，但随温度变化大。 3 ． PN结具有单向导电性 3 ．当PN结正偏时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反偏时，回路中的反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态。PN结具有单向导电性。 1.2.2 二极管的伏安特性 1. 二极管的结构和分类 二极管是由一个PN结芯片上引出正、负电极，然后加上管壳封装而成。按材料可分为硅管和锗管，按PN结形式可分为点触型、面结型和平面型。二极管的主要特点是单向导电性（也就是PN结的特点）。 2．正向特性 (1)正向特性：正向特性的起始部分电流几乎为零，当正向电压大于门限（死区）电压Uj（硅管Uj约为0.5V，锗管Uj约为0.1V）后，电流增长很快。在小电流范围内，正向特性呈指数关系。在大电流范围内，正向特性近似线性关系。 3．反向特性 (2)反向特性：当|U| UT时，I≈-IS，很小，但随温度升高而迅速增大。当反向电压的绝对值大到一定值UBR后，反向电流会突然急剧增大，二极管“反向击穿”，单向导电性被破坏。但击穿后的反向特性具有稳压性。 3.二极管的伏安特性也可用理想二极管方程近似表示 4．二极管的伏安特性是非线性的 1.2.3 二极管的主要参数 1．最大整流电流IF：二极管长期运行时，允许通过管子的最大正向平均电流。 2．最高反向工作电压UR：通常将击穿电压UBR的一半定义为UR。 3．反向电流I