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霍尔传感器基本参量及 磁场测量
;1、背景知识;2、实验目的;3、实 验 仪 器;4、实验原理
;不等位效应： 电极不在等位面上，产生不等为电位差， 只与 有关与B无关。
埃廷豪森效应：载流子运动的速度不同，引起温差电压 ， 的正负与 ，B 的方向有关。
能斯特效应：电流电极与霍尔片的接触电阻不等，产生附加电压 ， 的大小取决于磁场方向。
里纪勒杜克效应：由于热扩散电流的载流子的迁移速度不同，产生相应的温度电压 ， 的大小与 B 的方向有关，与 无关。
;为抵消附加效应：; 5、实 验 仪 器 介 绍; 5.2 半导体材料的几何尺寸和线路连接图;5.3霍尔元件 实验仪 和 测量仪;霍尔元件测量仪;霍尔元件位置的移动;1、 测绘VH-Is关系曲线[霍尔效应]。用表4.7.1记录数据。霍尔元件置于电磁铁气隙中心。
调节：
;2、绘制IS-Vσ曲线[欧姆定律]
测量霍尔元件的电导率、载流子迁移率，用表4.7.2记录数据。;3、测绘VH-IM关系曲线，用表3.7.3记录数据，霍尔元件置于电磁铁气隙中心；
调节:
;
4、测绘电磁铁气隙中磁感应强度B沿X方向的分布曲线。
用表3.7.5记录数据，在坐标纸上绘图。
调节：
用公式 计算各点磁感应强度B的值。
;x ;1. 用坐标纸绘制四个实验的图形并计算结果。
;8、注意; 9、仪 器 整 理;
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