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《低频电子线路》 《低频电子线路》 山东大学 信息科学与工程学院 刘志军 上节课回顾 静态工作点稳态电路 Q点不稳定的因素 基极分压式射极电阻共射放大电路 晶体管放大器的三种组态 本节课内容 场效应晶体管 结型场效应管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） § 1.4 场效应晶体管 场效应晶体管(Field Effect Transistor ) 简称FET 1.4.1 场效应管简介 场效应管是一种不同于前述双极型晶体管（BJT）的一种半导体器件。 两者工作机理不同 双极型晶体管（BJT） 有两种载流子（多子、少子） 场效应管（FET） 有一种载流子（多子） 控制方式的不同 双极型晶体管（BJT） 电流控制方式 场效应管（FET） 电压控制方式 场效应管分类 分为两大类： 结型场效应管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） MOS场效应管（MOSFET） 在绝缘栅场效应管（IGFET）结构的器件中，最常见为金属—氧化物—半导体结构 （Metal—Oxide—Semiconductor）， 故称为MOSFET，简称MOS器件。 JFET器件 JFET分为两类: N沟道JFET P沟道JFET  MOS