过程装备制造与检测课程设计.docVIP

目 录 1，制造背景 1 1.1多晶硅精馏塔简 1 1.2 原始数据 2 1.3制造技术要求 3 2，筒体 4 2.1筒体材料分析选择 4 2.2筒体的结构分析 5 3．筒体具体制造工艺 6 3.1筒体制造工艺过程 6 3.2材料进厂检测 6 3.3钢材的预处理 6 3.3.1， 材料的净化 6 3.3,2 矫形 7 3.3.3， 划线 8 3.3.4,号料（放样） 8 3.3.5,标记和标记移植 11 3.3.6剪切下料 11 3.4，简节的弯卷成形 12 3.4.1弯卷成型过程 12 3.4.2钢板弯卷的变形率、临界变形率 12 3.4.3钢板弯卷的回弹估算 13 3.4.4 上辊总下压量h 13 3.4.5内筒制造 14 3.5，筒节坡口加工与焊接 16 3.5.1简体纵焊缝坡口加工 17 3.5.2简体环焊缝坡口 19 3.5.3 焊接 20 3.6，校圆 21 3.7，检测 22 3.8，接管 23 3.9， 耐压试验及泄漏试验 24 4，心得体会 24 参 考 文 献 资 料 25 1，制造背景 1.1多晶硅精馏塔简 多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。 多晶硅具有半导体性质，是极为重要的半导体材料。但微量的杂质即可大大影响其导电性。在电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等基础材料。多晶硅是是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料，被称为“微电子大厦的基石”。当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其市场占有率在90%以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。其按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。其中，用于电子级多晶硅占55%左右，太阳能级多晶硅占45%，随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度已高于半导体多晶硅的速度，到2008年太阳能多晶硅的需求量已超过电子级多晶硅。 目前多晶硅主要的生产技术有（改良）西门子法（三氯氢硅氢还原法），硅烷法(硅烷热分解法)，流化床法。硅烷法是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、硅的直接氢化法等方法制取，硅烷气提纯后在热分解炉中生产纯度较高的棒状多晶硅。硅烷法也有废料，也是氯化物的提纯，工艺难度大，安全要求高，每一步都有转化率，投资更大，以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产，使得硅烷法尚不能取代西门子法。流化床法是以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内高温高压下生成三氯氢硅，在将三氯氢硅进一步歧化加氢生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加入小颗粒硅粉的流化床内进行连续热分解，生成大颗粒多晶硅产品。在流化床内参与反应的硅面积大，生产效率高,电耗低且成本低,适用于大规模生产太阳能多晶硅。但安全性差，危害性大，产品纯度不高。 西门子法生产多晶硅的主要工序是高纯石英（经高温焦碳还原）→工业硅（酸洗）→硅粉（加HCL）→SiHCL3（经过粗馏精馏）→高纯SiHCL3（和H2反应）→高纯多晶硅。西门子生产工艺经过数十年的发展，几经改造，产能规模、自动化控制水平有了很大提高，生产成本不断降低，其关键技术也由敞开生产发展到闭式循环。实践证明，三氯氢硅生产多晶硅，具有安全性相对良好、沉积速率和一次转化率较高，产品纯度较高，同时可适于连续稳定运行等优点，所以成为高纯度多晶硅生产的首选生产技术。世界上主要的多晶硅工厂和我国多晶硅项目均采用了西门子法。 在西门子法的生产工序中，为了满足高纯度的需要，必须进一步将工业硅提纯。在第二步中把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑ 反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。 产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解:过滤硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中。然后利用精馏法分解冷凝物SiНС13,SiC14 。SiHCL3纯度直接影响了多晶硅的纯度，因此精馏工段尤为重要。本次设计以内蒙古鄂尔多斯3000吨多晶硅项目TCS精馏塔的设计为背景，旨在对塔体进行多载荷下的强度稳定性校核。 在保证塔体强度的基础上，此结构能减少钢材的用量，从而大大节约了成本。对于塔器，受到的外载荷较多，在风载荷，地震载荷，自重载荷以及偏心载荷的