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本科毕业设计(论文)
硅片自旋转磨削工艺规律研究
学 院 机电工程学院
专 业 机械设计制造及其自动化
(机械电子方向)
年级班别 2008级(2)班
学 号 3018000383
学生姓名 王展浩
指导教师 魏昕
2012 年 5 月 21 日
摘要
单晶硅片是集成电路(IC)制造过程中最常用的衬底材料,硅片的表面层质量直接影响着器件的性能、成品率以及寿命。随着硅片尺寸的增大,新的硅片高效超精密平整化加工工艺得到了大量的研究。其中,具有高效率、高精度、低损伤等优点的硅片自旋转磨削技术正逐步成为抛光硅片和图形硅片背面减薄的主流加工技术。本文利用基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床,通过试验研究了砂轮磨粒粒度、砂轮进给速度和砂轮转速等主要因素对磨削后硅片的磨削力和表面质量的的影响关系。
关键词:硅片,磨削,砂轮,磨床,自旋转磨削
注:本设计题目来源于教师的国家级科研项目,项目编号为:U0734008。
Abstract
Silicon integrated circuit ( IC ) manufacturing process most commonly used in the substrate material, silicon wafer surface quality directly affects the performance of the device, the rate of finished products and life. Along with the increase of the silicon wafer sizes, new silicon wafer efficient processing technology of the ultra precision level off to get a lot of research. Among them, with high efficiency, high precision, low damage and other advantages of the wafer rotation grinding technology is gradually becoming the polishing of silicon wafer and wafer backside thinning of the mainstream graphics processing technology. Based on the rotation principle of grinding silicon wafer ultra-precision grinder, grinding particle size was studied by experiment, the grinding wheel speed and the speed of the grinding wheel main factors on grinding wafer grinding force and surface quality of relationship.
Keywords: Silicon wafer, Grinding, The grinding wheel, Grinding machine, Self-rotating grinding
目录
1 绪论 1
1.1 前言 1
1.2硅片超精密磨削的现状 1
1.2.1国外现状 1
1.2.2国内现状 2
1.3硅片超精密磨削的发展趋势 3
1.4 硅片自旋转磨削的原理 4
1.5 本文研究的主要内容 5
2 硅片自旋转磨削加工的实验设计 6
2.1 实验设备的介绍 6
2.2 工件的介绍 6
2.3 砂轮的选择 8
2.4 工艺参数的选择 9
2.4.1砂轮轴向进给的速度 9
2.4.2砂轮的转速 10
2.5 检测方法和设备 10
2.6 本章小结 12
3 磨削参数对磨削力的影响的试验研究 13
3.1 磨削工艺参数对磨削力的影响 13
3.1.1磨粒粒径对磨削力的影响 13
3.1.2砂轮进给速度对磨削力的影响 13
3.1.3砂轮转速对磨削力的影响 14
3.2 建立磨削力经验公式 14
3.2.1 角正回归理论 14
3.2.2 磨削力的角正回归法建模 15
3.3 本章小结 16
4 磨削参数对硅片表面质量的影响的试验研究 17
4.1 磨削工艺参数对磨削后硅片表面粗糙度的影响 17
4.1.1磨粒粒径对硅片表面粗糙
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