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2017-09-18 发布于安徽
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4H-SiC 中基面位错发光特性研究.pdf

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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 60 ，No. 3 (2011) 037808 * 4H-SiC 中基面位错发光特性研究  苗瑞霞张玉明汤晓燕张义门 ( ，， 7 1007 1) 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 (20 10 5 27 ;20 10 6 18 ) 年月日收到年月日收到修改稿 (CL) 4 H-SiC . 本文利用阴极荧光和选择性刻蚀的方法对同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究结 (B ) (B ) ， 530 nm 果表明螺型基面位错 T SD 和混合型基面位错 M D 分别具有绿光和蓝绿光特性其发光峰分别在附近和 480 nm . B B ， B 附近从测试结果中还发现 M D 的发光位较 T SD 有所蓝移分析认为 T SD 位错芯附近原子沿伯格斯矢量方，， B ，向只受到拉应力致使禁带宽度变窄而 M D 同时具有螺型位错的分量和刃型位错的分量正是刃型位错中部分原，， B B . 子受到压应力的作用导致禁带宽度增宽从而使得 M D 的发光波长比 T SD 短 :4 H-SiC ，，，关键词基面位错发光特性禁带宽度 PACS :78 . 60 . Hk ，6 1. 72 . Lk ，8 1. 10 . Gh ， X 射线形貌术尽管可以观测位错分布然而由于射， 1. 引言线通常使用透射模式缺陷的分布很多是交叠在一， . 起对缺陷的分析带来一定困难利用选择性刻蚀 SiC 、、具有带隙宽热导率高电子饱和漂移速率，可以清晰地揭示位错形貌因此本文利用阴极荧光、，、大化学稳定性