ITO／PLZT薄膜湿法刻蚀研究.pdfVIP

第30卷第6期 压 电 与 声 光 Vo1．3ONo．6 2OO8年12B PIEZOELECTECTRICS ＆ ACOUSTOOPTICS Dee．2008 文章编号 ：1004—2474(2008)06—0745—03 ITO／PLZT薄膜湿法刻蚀研究 闻 伟 ，杨传仁 ，张继华 ，陈宏伟 ，梁鸿秋 ，张瑞婷 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054) 摘 要：介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物 (ITO)薄膜 的湿法刻蚀法。用V(HC1)：V(HNO。)： (HzO)一50：3：50的混合溶液对 ITO进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描 电子显微镜 (SEM)和X一射线能谱 仪(EDS)分析表明，在 35℃经 30nm／min刻蚀能得到图形边缘质量 良好和表面无残留物的ITO图形；在同等条件 下刻蚀的PLZT薄膜，刻蚀速率不及 IT0的2 ，表明该刻蚀方法具有 良好的选择性。