电气信息导论集成电路的发展与存在问题.docVIP

集成电路的发展方向以及存在的问题 一、集成电路的定义 集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于硅的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于锗的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。 二、集成电路的特点 集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。 三、集成电路的诞生与发展 集成电路的发展经历了一个漫长的过程以下以时间顺序简述一下它的发展过程。1906年第一个电子管诞生。1912年前后电子管的制作日趋成熟引发了无线电技术的发展。1918年前后逐步发现了半导体材料。1920年发现半导体材料所具有的光敏特性1932年前后运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象1956年硅台面晶体管问世1960年12月世界上第一块硅集成电路制造成功1966年美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平面工艺制造成第一块公认的大规模集成电路。1988年16M DRAM问世1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管标志着进入超大规模集成电路阶段的更高阶段。1997年300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μ工艺奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼发展速度让人惊叹。2009年intel酷睿i系列全新推出创纪录采用了领先的32纳米工艺并且下一代22纳米工艺正在研发。集成电路制作工艺的日益成熟和各集成电路厂商的不断竞争使集成电路发挥了它更大的功能更好的服务于社会。由此集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程：电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路。 四、集成电路的发展方向 虽然，在未来10-15年间CMOS（互补金属氧化物导体）器件仍是市场上的主体，但是为了达到芯片集成程度的不断提高和性能的进一步提升，新材料、新工艺和新方法已被广泛应用于现有工艺。 （1）设计开始向DFT、DFM、IP核复用方向发展 随着系统的集成度越来越高，传统的设计、制造、测试方面已经受到越来越大的限制，基于可测性设计（DFT, design for test）和可制造性设计（DFM, design for manufacture）的方案是克服这些限制的很好解决方法。设计一般要同时面对两种复杂性——硅复杂性和系统复杂性，即工艺的按比例缩小和新材料、器件的引入带来的复杂性，以及受越来越小特征尺寸和客户对增加功能、降低成本、更短上市时间要求所驱动的晶体管数量的指数增长带来的复杂性。如果按照传统方法设计，必然会带来极高的制造成本、成品率急剧下降、测试成本的指数级增加或根本无法测试等问题。因此，必须在设计时就要考虑产品的可制造性和可测试性。目前，可测试设计和可制造性设计已经广泛应用于深亚微米制造工艺和SOC芯片中。深亚微米的特殊性使器件更容易产生越迁和桥接等故障，为此，新型高速可测试设计成为了保证芯片质量、降低测试成本的关键技术。虽然，可制造性设计并不是最新出现的技术，只是在纳米级技术引起严重成品率问题后才得到了空前的重视。可制造性设计要求在产品设计时，把制造性能作为结构设计的一项评价准则，避免不必要的过高制造要求，从而造成不必要的生产费用浪费。在过去数年间，可制造性设计（主要是分辨率增强技术）一直是保证成品率的关键，今后的发展方向是在设计和制造之间建立更具鲁棒性的通信链路才能获得更高的成品率。集成电路设计与制造在进入纳米时代后已成为密不可分的一个整体，将成为前向设计与制造数据反馈相互融合的一个更加复杂的过程。 目前正在出现的其他一些新设计方法，如C/C++语言被越来越多的引入到IC系统级设计中，可以较好平衡软件和硬件两个方面的设计需求，而且在面向对象方面有着不可比拟的生产率优势；采用COT设计方法，要求设计者承担物理设计的全部内容，不仅意味着在芯片的内部增加了布局和布线工作，而且COT的设计者还需要负责封装、测试，以及成品率管理；EDA（电子设计自动化）向EDO（电子设计最优化）的转变，EDO并不是EDA的改良，是一种全新的设计思路，是从逻辑和物理两个角度来分析、设计芯片的混合工具。 （2）浸入式光刻技术有了长足的进步 集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻