量子阱、超晶格结构的线性电光效应研究进展.pdfVIP

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2017-09-17 发布于重庆
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量子阱、超晶格结构的线性电光效应研究进展.pdf

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第 24 卷　第 3 期物　理　学　进　展 Vol . 24 ,No . 3 　2004 年 9 月 PRO GR ESS IN PH YSICS Spet . ,2004 文章编号 (2004) 量子阱、超晶格结构的线性电光效应研究进展赵　雷 ,左玉华 ,王启明 ( 中国科学院半导体研究所 ,集成光电子国家重点实验室 ,北京　100083) ( ) 摘　要 : 　本文综合比较了各种用以解释量子阱、超晶格结构线性电光效应 L EO 的理论和模型 ,如 : EF T 理论 , GBC 理论 , HBF模型等 ;并按三种量子阱结构 : 阱区和势垒层具有一种相 ( ) ( ) 同原子的 I 型量子阱 CAQWs 、阱区和势垒层不具有相同原子的 I 型量子阱 N CAQWs 以及 II 型量子阱 ,给出了具体的量子阱超晶格结构线性电光效应的研究现状 ;最后总结了目前硅基量子阱、超晶格 L EO 的一些研究结果 ,并分析指出了对其作进一步研究的发展方向。 ( ) 关键词 : 　量子阱;超晶格 ;线性电光效应 L EO 中图分类号 : 　O4 , TN2 　　　文献标识码 :A 0 　引　言 1893 年 ,Pockels 发现某些晶体的折射性质会随着所加直流或者低频电压的改变而改 ( ) 变 ,并且改变量与所加的电场成正比,这就是线性电光效应 L EO ,又叫作 Pockels 效应。 L EO 效应是材料的二阶非线性光学效应 ,仅存在于无对称中心的晶体中。利用具有 L EO 效应的半导体材料可以制成电光调制器 , 电光双稳器以及响应时间可达到 ns 量级的超快光开关等光电器件。 1 1 3 ( ) β ( ) γ β 线性电光效应 L EO 的数学表达式为 : △ = △ = △ = ∑ E , 其中为介 i ε n2 j = 1 ij j i ε γ 电隔离率, 是一个二阶张量, 为介电常数, n 为折射率,