烷基、烷氧基取代聚噻吩光学性能的理论与实验研究.pdfVIP

烷基、烷氧基取代 聚噻吩光学性能的理论与实验研究 佟拉嘎，荣华,林世静，胡应喜 (北京石油化工学院， 材料与化工学院，北京 102617) 关键词：取代聚噻吩 光学性能 理论计算 主链包含 π－共轭体系的导电聚合物，因其诱人的新型物理性能和广阔的 功能化应用前景，倍受基础研究和应用研究领域的注目。取代聚噻吩衍生物是具 有溶解性和熔融性的一类新型导电聚合物材料，应用前景十分广阔[1,2] 。我们参 [3] 考文献 中的方法，通过改进合成了系列烷基和烷氧基取代聚噻吩类光活性材 料，并对这些材料的光学性能进行了对比研究。建立合理的计算模型，计算并对 比了这些聚合物的性能，阐明了取代基数量和种类对聚噻吩衍生物光学性能的影 响规律，所得结果对这类材料进一步的研究、应用和开发有一定参考价值。 1．材料的合成：单体和聚合物的合成方法如图1 所示。 Br Br R R R R R HBr NaNH2 RCl FeCl3 S n S S S S n FeCl3 HBr NaNH2 R: -C H 5 11 R Br OCH3 OR OR RCl CH OH ROH FeCl 3 3 S S S S S n 图1. 单体和聚合物合成路线 2．光学性能 表 1 所示为三种取代聚噻吩 PAT5 （3－戊基聚噻吩），PAOT5 （3－戊氧基聚 噻吩），PAT55 （3，4－二戊基聚噻吩）稀氯仿溶液紫外－可见吸收峰和PL 峰值。 表中同时列出了从三种材料旋涂薄膜紫外－可见吸收端推算的能隙值。 表1. 三种材料稀溶液吸收峰和PL 峰值及能隙 材料 λ (nm) λ (nm) Eg(eV) Abs PL PAT5 424 572 2.2 PAOT5 506 629 2.1 PAT55 358 535 2.6 由表可看出，与烷基取代聚噻吩相比，烷氧基取代聚合物的吸收峰值和发射 峰值均发生红移。其原因是由于烷氧基强的供电子作用导致原本富电子的噻吩环 * 的电子云密度进一步提高，有效共轭长度变长，从而π－π跃迁能量降低。PAOT5 的能隙比PAT5 的能隙小0.1eV,也证明了这一点。而与烷基取代聚噻吩相比双烷 基取代聚噻吩的吸收峰值和发射峰值均发生蓝移。证明两个大的取代基导致相邻 * 噻吩环间扭曲角增大，分子链有效共轭长度变短，π－π跃迁所需能量提高。 能隙的变化也证