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实验五十九 光电二极管和光敏电阻特性的研究 一、实验目的 了解光电二极管和光敏电阻的特性与应用。 二、基本原理 1 光电二极管 光电二极管是利用 PN 结单向导电性的结型光电器件，结构与一般二极管类似。PN 结安 装在管的顶部，便于接受光照。外壳上有以透镜制成的窗口以使光线集中在敏感面上，为了 获得尽可能大的光生电流，PN 结的面积比一般二极管要大。为了光电转换效率高，PN 结的 深度比一般二极管浅。光电二极管可工作在两种状态。大多数情况下工作在反向偏压状态。 在这种情况下，当无光照时，处于反偏的二极管工作在截止状态，这时只有少数载流子在反 向偏压的作用下，渡越阻挡层形成微小的反向电流，即暗电流。反向电流小的原因是在 PN 结中，P 型中的电子和 N 型中的空穴（少数载流子）很少。当光照射在 PN 结上时，PN 结附 近受光子轰击，吸收其能量而产生电子空穴对，使 P 区和N 区的少数载流子浓度大大增加， 在外加反偏电压和内电场的作用下，P 区的少数载流子渡越阻挡层进入 N 区，N 区的少数载 流子渡越阻挡层进入 P 区，从而使通过 PN 结的反向电流大为增加，形成了光电流，反向电 流随光照强度增加而增加。另一种工作状态是在光电二极管上不加电压，利用 PN 结受光照 强度增加而增加。N 结受光照时产生正向电压的原理，将其作为微型光电池用。这种工作状 态一般用作光电检测。光电二极管常用的材料有硅、锗、锑化铟、砷化铟等，使用最广泛的 +5 是硅、锗光电二极管。光电二极管具有响应速度快、精巧、坚固、良好 R 的温度稳定性和低工作电压的优点，因而得到了广泛的应用。 Vo 图为光电流信号转换电路，Vo=IpR ，Ip 为光电流，R 是反馈电阻。 2 光敏电阻 光敏电阻是利用光的入射引起半导体电阻的变化来进行工作的。光敏电阻的工作原理是 基于光电导效应：在无光照时，光敏电阻具有很高的阻值；在有光照时，当光电子的能量大 于材料禁带宽度，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，激发出可以导电的电子—空穴 对，使电阻降低，光线愈强，激发出的电子—空穴对越多，电阻值越低；光照停止后，自由 电子与空穴复合，导电能力下降，电阻恢复原值。制作光敏电阻的材料常用硫化镉（CdS ）、 硒化镉（CdSe ）、硫化铅（PbSe ）锑化铟（InSb ）等。 由于光导效应只限于光照表面的薄层，所以一般都把半导体材料制成薄膜，并赋予适当 的电阻值，电极构造通常做成梳形，这样，光敏电阻与电极之间的距离短，载流子通过电极 的时间T 少，而材料的载流子寿命τ 又较长，于是就有很高的内部增益 G，从而获得很高的 c c 灵敏度。光敏电阻具有灵敏度高，光谱响应范围宽，重量轻，机械强度高，耐冲击，抗过载 能力强，耗散功率大，以及寿命长等特点。光敏电阻的阻值 R 和光的强度呈现强烈的非线性。 三 实验器件与单元 光电模块，主控箱，万用表，0~20mA 恒流源。 四、实验内容与步骤 1、将主控箱的 0~20mA 恒流源调节到最小。 2 、把 0~20mA 恒流源的输出和光电模块上的恒流输入连接起来，以驱动 LED 光源。 3.1、硅光电池实验：将恒流源从 0 开始每隔 2mA 记录一次，填入下列相应的表格，光 电二极管的强度指示在光电模块的右边数显上。 3.2、光敏电阻实验：由于光敏电阻光较弱时变化较大，所以在 0~2mA 之间，每隔 0.5mA 记录一次，以后每隔 2mA 做一次实验，测得的数据填入下列相应表格。光敏电阻的大小用万 用表测量光电模块上的光敏电阻输出端。 （1）光电二极管： I （mA ） V(mv) （2 ）光敏电阻： I （mA ） R