摸拟电子技术-第10章 半导体及二极管(课件).pptVIP

* 第十章 半导体及二极管 10．1 半导体的基本知识 本征半导体→杂质半导体（N型和P型）→半导体内的两种载流子运动→PN结 半导体材料高度提纯后的单晶体（硅、锗） 本征半导体掺入5价元素→N型半导体（电子多子，空穴少子） 本征半导体掺入3价元素→P型半导体（空穴多子，电子少子） 半导体内的两种载流子运动：浓度差→扩散运动，电场力作用下→漂移运动， 第十章 半导体及二极管 复合运动→电子和空穴相遇同时消失。 PN结：P型和N型两种半导体结合在一起后形成的特殊界面，形成的过程:多数载流子先扩散→建立内电场→阻止扩散和有利少子漂移，最后 达到运态平衡，形成特殊界面。 第十章 半导体及二极管 10．2 半导体二极管 二极管的结构和类型：结构→点接触、面接触；玻璃封装，塑料封装等种类非常多。 半导体二极管的伏安特性 由一个PN结组成，重要特性是单向导电性 + — 第十章 半导体及二极管 半导体二极管的主要参数：IF、VR、IR 二极管电路分析举例： 1．在以下电路中，二极管均为理想（理想特性的意义），试判断二极管的导电情况，并求出输出端电压大小VAO值。 (a)二极管截止，输出-12V; (b)D1导电，D2截止，输出为0V; (c)D2、D1截止，输出为-9V; 第十章 半导体及二极管 10．3 其它二极管 稳压管：应用在反向击穿区 第十章 半导体及二极管 例10-1 填空 例10-2 填空 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系 在PN结形成过程中，载流子的扩散运动是在浓度差的作用下产生的，漂移运动是在电场的作用下产生的。 第十章 半导体及二极管 设图所示各电路中的二极管性能均为理想（所谓理想是指二极管的正向压降为零、反向电流为零）。试判断各电路中的二极管是导通还是截止，并求出A、B两点之间的电压UAB值。 例10-3 D 12V V2 R A UAB 2k 15V (a) V1 B D R A V2 UAB 2k 10V 15V (b) V1 B 第十章 半导体及二极管 B D2 R A V2 UAB 2k 10V 15V (c) V1 D1 D2 R A V2 UAB 2k 10V 5V (d) V1 B D1 解：图（a）：D截止，UAB=-12V；图（b）：D导通，UAB=15V；图（c）：D1、D2截止,UAB=10V；图（d）：D1截止，D2导通，UAB=-5V。 第十章 半导体及二极管 电路如图10-3（a）所示。已知R1=R2=5k?，D1、D2的性能均理想，输入电压u1的变化范围为0～30V。试画出该电路的u0与u1的关系曲线。 例10-4 D1 D2 R1 R2 V1 V2 5k 5k 6V 18V iD1 iD2 i1 i2 vI vo