5 场效应管放大电路.ppt

5.4 场效应管放大电路 ? 直流偏置电路 ? 静态工作点 ? FET小信号模型 ? 动态指标分析 ? 三种基本放大电路的性能比较 5.4.1 FET的直流偏置及静态分析 5.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. 直流偏置电路 5.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 （1）自偏压电路 （2）分压式自偏压电路 vGS vGS vGS vGS vGS VGS = - IDR 2. 静态工作点 Q点： VGS 、 ID 、 VDS vGS = VDS = 已知VP ，由 VDD - ID (Rd + R ) - iDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS * 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 5.3 结型场效应管 5.4 场效应管放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.2 砷化镓金属-半导体场效应管 5 场效应管放大电路 掌握场效应管的直流偏置电路及分析； 场效应管放大器的微变等效电路分析法。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： 5.1 金属－氧化物－半导体 场效应管（MOSFET） MOSFET简称MOS管，它有N沟道和P沟道之分，其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。 耗尽型：当vGS＝0时，存在导电沟道，iD?0。 增强型：当vGS＝0时，没有导电沟道，iD＝0。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1．结构 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 N 沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导电沟道 G S D N P P G S D G S D P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导电沟道 2．工作原理 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 2．工作原理 （以N 沟道增强型为例） P N N G S D VDS VGS VGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 P N N G S D VDS VGS VGS0时 VGS足够大时（VGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 感应出电子 VT称为开启电压 VGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，VGS越大此电阻越小。 P N N G S D VDS VGS P N N G S D VDS VGS 当VDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当VDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 P N N G S D VDS VGS 夹断后，即使VDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID VDS增加，VGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 3．特性曲线（增强型N沟道MOS管） 输出特性曲线 3．特性曲线（增强型N沟道MOS管） 可变电阻区 击穿区 ID U DS 0 UGS=5V 4V -3V 3V -5V 线性放大区 转移特性曲线 3．特性曲线（增强型N沟道MOS管） 0 ID UGS VT 在恒流区（线性放大区，即VGS＞VT时有： ID0是vGS=2VT时的iD值。 4．参数 MOSFET的参数与JFET的基本相同。P164表4.1.1列出了MOSFET的主要参数。 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 5.3 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? VGS继续减小，沟道继续变窄 2. 工作原理 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， V