2.2PN结的形成及特性.pptVIP

1. PN结的形成 2.2 PN结的形成及特性 两侧载流子存在浓度差 多子扩散运动 空穴：P?N；电子N?P 空穴和电子产生复合 杂质离子不移动形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 促进少子漂移运动 阻止多子扩散运动 多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡 形成PN结 (1) 外加正向电压VF 当PN结外加正向电压时，外加电压就会在PN结上形成一个外电场，其方向和PN结内电场的方向相反，这样就削弱了内电场，扩散与漂移运动的平衡也就被破坏了。在外电场的作用下，Ｐ区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，Ｎ区的电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷。结果使整个空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的电流正向电流IF。此时扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。 P区—电源正极 N区—电源负极 称为外加正向电压或正向偏置（简称正偏） 　 PN结加正向电压时的导电情况动画演示 2. PN结单向导电性 P N 内电场 外电场 IF VF PN结加正压 P N 内电场 外电场 IR（IS） PN结加反向电压时的导电情况动画演示 (2) 外加反向电压VR P区—电源负极 N区—电源正极 称为外加反向电压或反向偏置（简称反偏） 　 当PN结外加反向电压时，外加电场方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个反向电流 IR 也称为反向饱和电流IS，其大小与温度有关。 小结：ＰＮ结具有单向导电性。当正向偏置时，ＰＮ结电阻很低，正向电流较大，称为ＰＮ结处于导通状态；当反向偏置时，反向电流很小（几乎为零），ＰＮ结相当一个非常大的电阻，称ＰＮ结处于截止状态。 VR PN结加反压 (3) PN结的伏安（V-I）特性 PN结的伏安特性是指在PN结两端外加电压时，通过PN结的电流大小与外加电压之间关系的特性。如图所示（硅二极管PN结）。 根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示： -1.0 -0.5 0 0.5 1.0 1.0 0.5 vD/V iD/mA iD=-IS 式中IS 为反向饱和电流，vD 为外加电压，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数(8.617*1e-5 eV/K)，q 为电子电荷量(1.6*1e-19库)，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。非线性元件。 3. PN的反向击穿 反向击穿 热击穿 电击穿 雪崩击穿 齐纳击穿 PN结两端反向电压增加到一定数值时，反向电流突然增加，这种现象称为反向击穿 消耗功率大于耗散功率 PN结损坏 消耗功率小于耗散功率 击穿过程可逆 vD iD VBR VBR：反向击穿电压 2.2.4 PN结的电容效应 1. 势垒电容Cb 这种由空间电荷区的宽度随外加电压变化所等效的电容称为势垒电容，通常用Cb表示。 2.2.4 PN结的电容效应 2. 扩散电容Cd 这种非平衡少子的浓度随外加正向电压的变化所等效的电容效应称为扩散电容，通常用Cd表示。 PN结的结电容是势垒电容和扩散电容之和： 应用：静电防护中的TVS齐纳二极管（致谢华北电力大学电磁兼容实验室！）