新一代600VIGBT在UPS的应用.pdfVIP

新一代600V IGBT在UPS的应用 陈子颖，Volke Andreas 英飞凌科技(中国)有限公司 Simon.chen@ 电话： +8621 6101 9220 传真： +8621 6101 9420 摘要：本文将介绍英飞凌的第三代采用沟槽栅场终止技术的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的应用。在介绍最 新沟槽栅场终止技术的背景后，本文探讨如何充分利用IGBT静态与动态性能改进和175℃的最高结温来提高 UPS的效率，降低成本。最后给出模块化产品平台。 1 沟槽栅场终止技术概念 直到0。为了加速截止电场，采用了低掺杂水 英飞凌在80年代中期就开发出 NPT 非 平。这意味着，衬底有着相当大的内部阻抗。 穿透型IGBT来取代PT穿透型，英飞凌的第一 因此，晶圆厚度是影响饱和电压V （ ）的主 CE sat 代，第二代都是平面栅NPT型IGBT，开关损 要因素。晶圆越厚，饱和电压越高。 耗低，耐冲击性好，适合工业应用，如马达驱 动，UPS和其它电源设备。如1998年开发出 的600V第二代NPT超薄型晶片，仅厚100um。 采用这一芯片的模块是目前UPS行业的主流 技术平台。 英飞凌推出的采用沟槽栅场终止技术第 三代IGBT，即 IGBT3超薄型芯片，其首先在 1200V和1700V 器件上实现, 近来又推出 600V IGBT3 。其导通损耗降低了30%，在保 TM 图 1 NPT 和TrenchStop 的截面与电场 持了相近开关损耗的同时，其关断过程更软， 为高效率、低电磁发射的UPS提供的功率平 通过在衬底区和集电极层之间添加额外 台。 的场终止 （Fieldstop）层，这种状况将得到 这是业内最先进的IGBT技术，融合了两 改善。场终止（Fieldstop）层也是n掺杂的， 种全新的概念：场终止技术 （fieldstop ）[1] 参见图 1中的右图。该层旨在将电场快速降到 和沟槽栅（trench gate ）[2] 。下面将分别介 0。这意味着衬底不再需要承受很大的电场, 绍这两种技术： 就是说 IGBT的阻断能力不再取决于晶圆厚 度，晶圆可以磨得更薄。这将有助于实现超低 1.1 场终止技术[1] 的饱和电压和低导通损耗。 图 1 是传统NPT-IGBT （左）和 在UPS这类硬开关系统中，场终止技术还 TrenchStop™ IGBT （右）的截面图。在传 有另外一种优势。与传统IGBT相比，IGBT3 统技术中晶圆相对厚一些，1200VIGBT厚为 能够更快地关断，且几乎不产生脱尾电流。这 175 µm ；600VIGBT为100 µm，这是因为衬 将降低关断损耗，因为，脱尾电流是影响关断 底需要承受全部电场，电场在衬底中线性下降 损耗的一个重要因素。见图 4 。 1.2 沟槽栅 输出特性 (相同芯片面积) 沟槽栅技术也能降低导通损耗, 因为在 30