离子束抛光石英玻璃显微结构分析.docVIP

 一、概述及背景：研究背景：光学器件及微电子器件的粗糙表面会引起信号的散射。超光滑表面加工极大的推动了光学加工技术的发展。抛光过程：高能离子 物理溅射 优点：离子束抛光具有良好的各向异性，对器件低损伤和可控性好等特点，使之成为制作高质量表面的理想手段主要影响参数： 离子能量、离子束流密度、离子束入射角、抛光时间、样品与离子源距离 表面粗糙度表征：表面粗糙度通常用均方根（root-mean-square rms）表示 （1）轮廓仪测试过程中用表面粗糙度高度参数Rq表征： Rq＝ （1） Ni：相对零点高度，N0 平均高度； (2) AFM测试过程中Rrms的定义为： (2) 表面波度表征：高分辨率激光轮廓仪检测过程中不进行滤波，能真实反映包括波度在内的样品表面形貌 二、结果讨论： （1）先用高能量和大束流（800eV/100mA/60°）的离子束对样品抛光再用低能量小束流(400eV/80mA/ 60°)离子束对样品抛光后得到的样品表面粗糙度最为理想(0.3nm rms)。 (2)通过实验和模拟总结出40°到60°之间入射角抛光效果最佳而在接近平行入射时基本上起不到抛光效果。 （3）抛光前在金相显微镜下观察到深度和尺寸较大的缺陷，抛光后深度减小，边缘圆滑。尺寸分布较均匀。样品表面凹坑的来源推断为三种：一种是表面层中本身的缺陷，以及亚表面层在抛光后暴露在表面上的缺陷；一种是抛光过程中离子轰击样品产生的；还有一种是离子束溅射具有元素选择性，即不同元素的溅射速率不同，这也可能在表面产生凹坑。  （4）刻蚀前后表面一直存在金属杂质，分析有两种可能产生上述结果：一种是玻璃基体中本身含有金属杂质，在抛光过程中经刻蚀不断露出表面；另一种是由于在抛光过程中真空室中污染引起的。 离子束抛光玻璃微观结构分析 陈美艳 沈丽如 核工业西南物理研究院 原子量级去除 石英：400 eV 0.75mA/cm2 35° 图 2中的横向间隔约30nm的大而浅 痕迹离子束抛光法去除比较困难 Rrms={1/Nx*1/Ny*∑∑ } (2) 石英：400 eV 0.75mA/cm2 35° 图 2中的横向间隔约30nm的大而浅痕迹离子束抛光法去除比较困难 图2 离子束抛光2 h后样品AFM 0.5 nmRMS 图1离子束抛光前样品AFM 5~10 nmRMS 抛光后表面金属杂质放大1000倍 700eV/110mA/17h/60°400eV/80mA/10h/60° 抛光后表面微观形貌相放大1000倍 样品抛光前放大1000倍后微观形貌相 800eV 100mA 60°5h /400eV 80mA 60°/2h (0.316nm rms) 抛光前放大1000倍