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太阳能电池基础培训 08-07-06 2 outline 半导体基础 太阳能电池工作原理 JA电池片制作过程 扩散工艺 污染源的控制 扩散设备简介 清洗、扩散原理 影响扩散的因素 超净间异常的处理 3 半导体基础—硅晶体结构 硅的晶体结构 硅是金刚石结构，晶格结构是复式格子，即是两个面心立方晶格沿对角线方向上移1/4互相套构而成。 晶格的构成决定了它的(111)晶面也是原子密排面，它的特点是，在晶面内原子密集、结合力强，在晶面之间距离较大，结合薄弱，由此产生以下性质： 由于(111)密排面本身结合牢固而相互间结合脆弱，在外力作用下，晶体很容易沿着(111)晶面劈裂，此晶面为硅的解理面。 由于(111)密排面结合牢固，化学腐蚀就比较困难和缓慢，而(100)面原子排列密度比(111)面低。所以(100)面比(111)面的腐蚀速度快，选择合适的腐蚀液和腐蚀温度，(100)面腐蚀速度比(111)面大的多，因此，用(100)面硅片采用这种各向异性腐蚀的结果，可以使硅片表面产生许多密布表面为(111)面的四面方锥体，形成绒面。 （100） （110） （111） 4 半导体基础—能带论 能带的形成 在原子中内层电子受原子核束缚较紧，相应的能量较小，外层电子（价电子）能量较大。 能带是由于电子的‘共有化’运动产生的，‘共有化’即，晶体由大量原子组成，一个原子的电子不仅受到这个原子的作用。还将受到相邻原子的作用 。相邻原子上的电子轨道将发生一定程度的相互交迭，通过轨道的交迭，电子可以从一个原子转移到相邻的原子上去。这时电子已不属于个别原子而成为整个晶体所共有； 电子在原子之间的转移不是任意的，电子只能在能量相同的轨道之间发生转移。 禁带、导带、价带 晶体中电子轨道的能级分成由低到高的许多组。分别和各原子能级相对应，每一组都包含着大量的能量很接近的能级。这样一组密集的能级看上去象一条带子，所以被称之为能带。能带之间的间隙叫做禁带。未被电子填满的能带称为导带，已被电子填满的能带称为满带。导体、半导体，绝缘体导电性质如图 5 半导体基础—半导体的特性 导电能力随温度灵敏变化 导体，绝缘体的电阻率随温度变化很小，（导体温度每升高一度，电组率大约升高0.4%）。而半导体则不一样，温度每升高或降低1度，其电阻就变化百分之几，甚至几十，当温度变化几十度时，电阻变化几十，几万倍，而温度为绝对零度（-273℃）时，则成为绝缘体。 导电能力随光照显著改变 当光线照射到某些半导体上时，它们的导电能力就会变得很强，没有光线时，它的导电能力又会变得很弱。 杂质的显著影响 在纯净的半导体材料中，适当掺入微量杂质，导电能力会有上百万的增加。这是最特殊的独特性能。 其他特性 光伏效应，温差电效应，霍尔效应，发光效应，激光性能等。 6 杂质和杂质半导体 纯净的半导体中掺入其它元素的原子，这些其它元素的原子就称为半导体材料中的杂质原子。对硅的导电性能有决定影响的主要是三族和五族元素原子。还有些杂质如碱金属，金，铜，镍，锰，铁等，在硅中起着复合中心的作用，影响寿命，产生缺陷，有着许多有害的作用。 N、P型半导体 半导体基础—导电原理 产生和复合 由于热或光激发而成对地产生电子空穴对，这种过程称为“产生”。 空穴是共价键上的空位，自由电子在运动中与空穴相遇时，自由电子就可能回到价键的空位上来，而同时消失了一对电子和空穴，这就是“复合”。 热平衡：在一定温度下，又没有光照射等外界影响时，产生和复合的载流子数相等，半导体中将在产生和复合的基础上形成热平衡。此时，电子和空穴的浓度保持稳定不变，但是产生和复合仍在持续的发生。 N型半导体 P型半导体 7 实际，一块半导体中并非仅仅只存在一种类型的杂质，常常同时含有施主和受主杂质，此时，施主杂质所提供的电子会通过“复合”而与受主杂质所提供的电子相抵消，使总的载流子数目减少，这种现象就成为“补偿”。在有补偿的情况下，决定导电能力的是施主和受主浓度之差。若施主和受主杂质浓度近似相等时，通过复合会几乎完全补偿，这时半导体中的载流子浓度基本上等于由本征激发作用而产生的自由电子和空穴的浓度。这种情况的半导体称之为补偿型本征半导体； 补偿型本征半导体用来制作器件是有害的，会影响到器件的电性能； 在太阳能PN结产生过程中，实际上就是依据补偿作用，通过掺杂而获得我们所需要的导电类型来组成所要生产的器件。 半导体基础—杂质补偿 8 平衡载流子、非平衡载流子 一块半导体材料处于某一均匀的温度中，且不受光照等外界因素的作用，此半导体处于平衡状态，此时半导体中的载流子称为平衡态载流子。 半导体一旦受到外界因素作用（如光照，电流注入或其它能量传递形式）时，内部载流子浓度就多于平衡状态下的载流子浓度。半导体就从平衡状态变为非平衡状态，