大电流便携式DCDC变换中MOSFET功耗的计算.pdfVIP

大电流便携式DCDC变换中MOSFET功耗的计算.pdf

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第 7卷第 8期 童 潦 技 应 嗣 V01.7No.8 2004年 8月 POWERSUPPLYTECHNOLOGIESAND APPUCATIONS August2004 大电流便携式DC/DC变换中 MOSFET功耗的计算 鲁思慧 (苏州凯新电源技术有限公司, 江苏 苏州 215003) 摘 要:介绍了大电流便携式DC/DC中MOSFET的迭代流程和功耗计算。 关键词 :便携式DC/DC;功率损耗 ;迭代流程;热阻;结温 CalculationofPowerLossforMoSFET in PocketHigh-currentDC /DC Converter LU Si—hui (SuzhouKaixinPowerSupplyTechnologiesCoLtd, SuzhouJiangsu215003 China) Abstract:ThereplacementflowandcalculationofpowerlossforMOSFET inpocketDC/DC converterareintrducted. Keywords:pocketDC/DC;powerloss;replacementflow;heatresistance;junctiontemperature 中图分类号:TN86 文献标识码:B 文章编号:0219—2713(2004)08~0484—04 0 引言 临诸多不利因素,诸如狭小的空间和静止的气流 以及其元器件散发的热量等恶劣环境,而且,没有 众所周知,今天的便携式电源设计者所面临 任何其它方式可以用来协助散热。 的最严峻挑战就是为当今的高性能 CPU提供电 那么如何挑选MOSFET呢?回答是,在挑选 源。近年来,内核CPU所需的电源电流每两年就 MOSFET时,首先要选择有足够的电流处理能力 翻一番,即便携式内核CPU电源电流需求会高达 的,并具有足够的散热通道的,最后还要从量化上 4OA之大 ,而电压在 0.9V和 1.75V之间。事实 考虑必要的热耗和保证足够的散热路径,据此,计 上,尽管电流需求在稳步增长,而留给电源的空间 算出MOSFET的功耗,并确定它们的工作温度。本 却并没有增加,这个现实已达到甚至超出了在热 文分析了一个多相、同步整流、降压型CPU电源中 设计方面的极限。 MOSFET功耗的计算方法。 对于如此大电流的电源,通常将其分割为两 个或多相,即每一相提供 15A到25A,例如,将一 1 MOSFET功耗的计算 个4OA电源变成了两个 2OA电源。虽然可以使元 为了确定一个MOSFET是否适合于特定的应 器件的选择更容易,但是并没有额外增加板上或 用,必须计算其功耗,MOSFET功耗 (PL)主要包含 环境空间,对于减轻热设计的工作基本上没有多 阻性损耗(P)和开关损耗(Ps)两部分,即 大帮助。这是因为在设计大电流电源时,MOSFET 是最难确定的器件。这一点在笔记本 电脑中尤其 PL=PR+Ps 显著,在这种环境中,散热器、风扇、热管和其它散

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