采用批量CMOS制造工艺生产基于MEMS的频率控制器件-.pdfVIP

CMEMS®技术 采用批量CMOS 制造工艺生产基于MEMS 的频率控制器件 在过去的五年里，微机电系统（MEMS ）解决方案已经稳步进入由石英晶体解决方案垄断 上百年的频率控制和定时产品市场。MEMS 技术最初源于对更小外形尺寸的追求，目前 已呈现出显著的其他优势，包括交付时间、供应稳定性、产品可靠性、器件尺寸和性价比 等，这些优势使基于MEMS 的振荡器占有部分基于石英的频率控制市场。 依赖传统技术，基于石英的频率控制设计有很多限制，例如需要更高专业化和复杂生产流 程，基于陶瓷的特殊包装（如图 1 所示），需要密闭可靠的腔体以及片外匹配电容，对环 境因素敏感，尤其是热力、冲击和振动，可能导致现场故障。 图1. 基于石英的陶瓷封装振荡器结构框图 以上限制现在已经通过 MEMS 技术大大缓解，从而可以获得更小器件尺寸，并采用标准 半导体制造技术。然而，频率控制和时钟产品的集成依旧采用与基于石英的产品和其他 MEMS 产品相同的方法：在多芯片模组中装配 MEMS 协调器芯片和分立 IC （如图2 所 示）。虽然这种方法能够使用比基于石英的振荡器更加标准的包装技术，但是仍然依赖主 流批量 CMOS 工厂之外的专业 MEMS 工厂。此外，双芯片 MEMS 解决方案仅代表 CMOS-MEMS 一体化中的中间步骤，他们对 MEMS 谐振器特性更加敏感，因此从系统性 能和成本的角度来看不是最佳选择。 Silicon Laboratories, Inc. Rev 1.0 1 图2. 基于MEMS 的多芯片振荡器显微图 伴随着CMEMS® 技术的采用，Silicon Labs 在一体化频率控制产品上获得巨大突破，通过 在先进的混合信号 IC 之上直接加工谐振器，来获得完整的单片解决方案，这是真正的 MEMS+CMOS 协同设计。CMEMS 技术为频率控制工业带来显著的优势，包括更小尺 寸、更高性能、更低成本和更好的可扩展性。 CMEMS：CMOS 和MEMS 的单片集成 术语CMEMS 是CMOS 和MEMS 的字母缩写。CMEMS 技术可以在CMOS 电路上直接进 行MEMS 器件的模块化后处理，与任何其他集成MEMS 的方法相比，这是独一无二的。 CMEMS 是首个可以在先进的 RF/ 混合信号 CMOS 技术(≤0.18 µm)上直接进行高质量 MEMS 层后处理的技术[1]，充分利用经典 CMOS 制造工艺的可扩展性，作为模块化的后 段制程选项附加到以前用于制造先进CMOS 晶片的生产线（如图3 所示）。 图3. CMEMS 制造基本流程 (a) 起始材料以钝化和平面化CMOS 晶片形式存在，接着(b)多晶SiGe 采用表面微机械形式 生成集成的MEMS 器件，(c)他们在真空中通过晶圆级绑定。整个完成的晶圆继续探测， (d)裸片成型和标准化小尺寸打包装配，像一个标准的CMOS 产品。 CMEMS 技术通过使用多晶硅-锗（poly-SiGe ）作为MEMS 构建材料[2] 。由于其热特性兼 容 CMOS 后端处理工艺，因此这种材料被认为是对 CMOS 有益的。Poly-SiGe 能够在 400 ℃左右沉积。换句话说，当直接在主流 CMOS 技术上进行沉积时，他不会熔化现有 Silicon Laboratories, Inc. Rev 1.0 2 的 CMOS 和后端材料，也允许使用纯锗（Ge ），Ge 溶解在过氧化氢（H O ）中，其中 2 2 H O 作为蚀刻剂。H O 常用于 CMOS 后端处理，他比氢氟酸或其他常用于 MEMS 工艺 2 2 2 2 的蚀刻剂更好。这两种主要特性使 MEMS 表面微机械工艺一体化兼容先进的 CMOS 技 术。 工艺兼容性仅是问题的一部分。材料质量也至关重要。一般来说，材料的质量和沉积温度 对于MEMS 应用往往呈现相反方向。虽然像铝和铜一