纳米6H2SiC薄膜的等离子体化学气相沉积及其紫外发光.pdfVIP

第 27 卷 　第 10 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 10 2006 年 10 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Oct . ,2006 纳米 6 HSiC 薄膜的等离子体化学气相 沉积及其紫外发光 于 　威 　崔双魁 　路万兵 　王春生 　傅广生 (河北大学物理科学与技术学院 , 保定 　07 1002) ( ) ( ) 摘要 : 采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在 Si 100 衬底上制备了具有纳米结构的碳化硅 SiC 薄膜. 通过 X 射线衍射 、傅里叶红外吸收和扫描电子显微镜等技术对所制备薄膜的结构 、形貌以及键合特性进行了分析 ,利用光 致发光技术研究了样品的发光特性. 分析表明 ,在 500 ℃的衬底温度和高氢气稀释条件下 ,所制备的纳米 SiC 薄膜 红外吸收谱主要表现为 SiC TO 声子吸收 ,X 射线衍射显示所制备的纳米 SiC 薄膜为 6 H 结构. 采用氙灯作为激发 光源 ,不同氢气流量下所制备的样品在室温下呈现出峰值波长可变的紫外发光. 关键词 : 纳米碳化硅 ; 化学气相沉积 ; 紫外发光 PACC : 7865M ; 3220J 中图分类号 : TN 3042 + 4 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 结构生长提供了有利条件. 在化学气相沉积实验中, 1 　引言 由于含碳和含硅化合物之间稳定性的差异 , 如C —H ( ) ( ) 键能 4 10kJ / m ol 远大于 Si —H 键能 320kJ / m ol , ( ) 碳化硅 Si C 作为一种宽禁带半导体材料 , 由于 为得到化学计量比的纳米 Si C 薄膜 , 通常在采用等 其大的饱和电子漂移速度 、高的临界雪崩击穿电场 离子体对反应气体高效激发的同时, 需要引入合适 和高热导等优良物理化学特性 , 在大功率 、高频 、耐 的刻蚀气体以实现纳米或微晶Si C 薄膜的制备[ 9 ] . 高温和抗辐射器件等方面具有重要的应用价值 , 而 螺旋波等离子体具有在较低的工作气压条件下 且其与目前大规模集成电路所采用的硅工艺相兼 ( ) ( 12 - 3 ) 0 1～10Pa 产生高密度等离子体 10 c m 的 容 , 因此 ,Si C 材料的制备及其光电特性研究一直倍 特性[ 10～12 ] , 可以将化学气相沉积或辅助溅射等方式 受人们的关注[ 1 , 2 ] . 利用其宽禁带特征 , Si C 可用来 应用于半导体薄膜的沉积. 本工作采用螺旋波等离 制作短波长发光器件 ,但因其间接带隙特性 ,采用掺