表面处理对P—GaN欧姆接触的影响.pdfVIP

第28卷第ll期 半导傣学报 V蕊．28No．1l 2007年11月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS NOV．，2007 表面处理对P—GaN欧姆接触的影响 郭德蒋b’ 粱 黄1 范曼宁1 瘴宏伟2 刭志强1 王嚣宏1 至嶷基1 (1中国科学院半导体研究所，北京100083) (2河北科技掷瓶学院数学物理系，秦皇岛066004) (XPS)，比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力；柱经不同溶液处理后的样品表面，以相同的条件制作Ni／ Au毫撅，势溅试其与p-GaN的毙接触毫阻，缨絮表爨经嚣盐酸处理露黪样品表露，由于其氧禽量较高，零能与Ni／ 后，通过比较样品表面的Ga／N原乎浓度比，探讨了王水处理p-GaN表面能够形成良好欧姆接触的原因． 关键穗：GaN；致姆援魅；鏊形俺辕线模型 PACC：7340N 中图分类姆：TN312．8文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2007)11-1811—04 缝去除荚表嚣氧化层，默{}l；降低Ni与P-GaN懿瓷 1 引言 得Pd／Au与P—GaN的接触电阻降低了2个数量 GaN是一种具有较宽的直接繁豫半导搭材料， 级；磊Jang等人￡133在实验审尉耀稀盐酸去除≯ 由予P型GaN的获得nt2】，使其被成功地应用于发GaN表面的氧化层；Chert等人[I钉采用电解盐酸溶 光器件的制备[3．41。然而对于一个好的器件，高质量 的获姆接触是至关重要盼，医炎如祭金震与GaN的 电阻．不同懿溶滚对P-GaN表嚣的氧化层都有腐蚀 接触电阻较大，则必然会导致高的电压降，从而影响 作用，但是究竟哪一种更有效，却没有相关报道．针 器件的性能．对于n型GaN来说，其上的电极制备对这一问题，作者分别用稀盐酸(HCl：H20=l： 不是闺题，目翦广泛采焉瓢／越基含金体系，可获得 眈接触电阻在lOq～10qQ·cm2范围的欧姆接 了各种溶液去除P．GaN表颟氧化层的能力；隧露， 触[5]．但是，对于P型GaN来说，要获得较低的比接在不同溶液处理后的P—GaN上，制作Ni／Au电极， 触电阻却是一个难题．这主要是由以下薅个原因所 通过计算其比接触电阻，比较了不同溶液对Ni／Au 致嘲：首先罴对于P黧GaN，很难获得太于10堪与P．GaN之闻接触特性的影响。P．GaN表面的氧 含量，用x射线光电子能谱(XPS)进行测试，接触 cmq的载流予浓度；其次是P型GaN的功函数大 约为7。5eV，褥功函数大于7。5eV的金属或金属体电阻的测量采用圆形传输线模型(CTLM)． 系十分有限．清洁的半羚体酶表面具有化学活性，容 易吸附其他原子，从而谯其表面形成一层氧化层．研 2 实验 究袭明，半导体表面的氧化层对载流子的输运起阻 碍传用[7q]。经MOCVD终延后的GaN表蔟，其主实验所蕉的GaN外廷片是采用金演有辊物化 要成分是GaO，以及吸附的碳．Ishikawa等人[10]计学气相沉积(MOCVD)技术，在蓝宝磊上生长得到 算表明：GaN表面厚度为2nm的氧化层，可以使肖的．其生长过程为：首先在蘸宝石衬底上，低温生长 特基势垒增加0。2～O．3eV。由此埘见，GaN表蘧的一薄层形核层，接着依次高潺生长l弘搬厚的非掺杂 褥染层对欧姆接触的影响很大，因此，在淀积金属之 前，GaN的表面预处理是十分必要的． 在750℃氮气环境下快速退火4min，以激活P型 曩前，用予去除P．GaN表露氧化层常用的溶液GaN。通过霍尔方法测得P*GaN层的空穴浓度为2 ×1017cm一。 有：稀盐酸、童承以及(NI-h)：S漆液等。Lin等入口司