射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质.pdfVIP

59 8 20 10 8 第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 Vol . 59 ，No . 8 ，August ，20 10 1000 -3290 / 20 10 / 59 (08)/5749-06 ACTA PHYSICA SINICA 20 10 Chin . Phys. Soc . * 射频磁控溅射法制备ZnS 多晶薄膜及其性质  谢 婧 黎 兵 李愿杰 颜 璞 冯良桓 蔡亚平 郑家贵 张静全 李 卫 武莉莉 雷 智 曾广根 ( ， 6 10064 ) 四川大学材料科学与工程学院 成都 (2009 11 26 ;2009 12 22 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 ZnS ， 、 ZnS 实验采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了 多晶薄膜 研究了沉积气压 退火温度和衬底温度对 . X (XRD) ， . - 薄膜质量的影响 利用 射线衍射 分析了薄膜的微结构 并计算了内应力值 通过紫外 可见光分光光度计 ， Urbach . (SEM ) . 测量了薄膜的透过谱 计算了 能量和禁带宽度 利用扫描电子显微镜 观察了薄膜的表面形貌 结果 : ZnS ， ， 300 ℃ 表明 衬底温度为室温时沉积的 薄膜具有较大的压应力 并且内应力值随着工作气压增大而增大 在 下 ， 350 ℃ ZnS ， ， 300 ℃ 进行退火处理后内应力松弛 衬底温度为 时制备的 薄膜内应力小 透过率高 经 退火处理后结晶 质量有所提高. :ZnS ， ， 关键词 薄膜 射频磁控溅射 内应力 PACC :7360 F ，7820 P ，7865 K 、 、 蒸发法 分子束外延法 金属有机化学气相沉积和 ［5— 10 ］ 1. 引 言 磁控溅射等 . 其中磁控溅射法制备的薄膜具有 、 、 、