本征缺陷对于ZnOMn稀磁半导体稳定性和磁性影响研究.docVIP

本征缺陷对于ZnO: Mn稀磁半导体稳定性和磁性影响研究 徐莎( 杨磊 姚洁 刘源 乐伶聪 王婷婷 （CCMS实验室 华中科技大学电子科学与技术系 武汉 430074） 摘要 本文利用第一性原理赝势平面波方法研究了含有本征缺陷的Mn掺杂的ZnO的稳定性。根据本文的计算结果可以得出以下结论：（1）Mn与ZnO中的本征缺陷复合受主缺陷，获得有效的P型电导，促进了室温铁磁性。（2）的Mn置换Zn后形成杂化轨道，吸附O2-能力强，形成大量受主缺陷。（烧结气氛和退火工艺。 Based on first principle calculations, the stability of the intrinsic defects of Mn doped ZnO has been investigated through the formation energy theory. Three main conclusions are as follows: (1) effective P-type conductivity as well as the room-temperature magnetism can be achieved after the formation of complex defects. (2) The main source of is from the combination of O2- and orbital hybridized Mn (3) room-temperature magnetism can be affected by sintering and anneal. 关键词：赝势平面波；ZnO；本征缺陷；稳定性 中图分类号: ****** 文献标识码: A PACS： 1 引言 现代存储技术是利用电子自旋进行信息存储，相比传统器件具有非易失性数据、处理速度更快、能耗更低集成、密度更高等优点稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors, DMS)器件兼备磁性和半导体特性，同时利用电子的自旋和电荷自由度同时进行信息存储和信息处理极大的提高信息处理速度和存储密度[1, 2]材料在非磁性半导体中掺杂磁性离子，利用载流子控制技术产生磁性ZnO是一种宽禁带半导体材料，极性生长的特征，过渡金属离子易于掺杂近年来成为的主要材料Mn掺杂ZnO可注入数量很大的自旋电子和载流子十分有利制作自旋器[3]. Dietl等[4]计算表明ZnO中掺入磁性离子后，可能制备出具有室温磁性Sato等，计算证明了过渡金属Mn掺入ZnO，其磁矩表现为铁磁有序[5]但是试验，Mn掺杂ZnO在不同的条件下表现出铁磁性，反铁磁性或顺磁性。Jung等[6]在Zn0.7Mn0.3O薄膜中观察到铁磁有序居里温度TC约为45K；Sharma等[7]报已经证实低温处理的Zn1 xMnxO(x =0.04)具有室温铁磁性Ueda用脉冲激光沉积法制备了掺Mn的ZnO薄膜，但并没有观察到室温铁磁性[8]；Tiwari等人在Zn0.95Mn0.05O 薄膜中没有观察到铁磁有序（测量温度低至10K）[9]；Kane等人制备了高质量的体单晶ZnxMnxO 没有发现铁磁性[10]；Lawes等[11]在Mn 掺杂的多晶ZnO中也没有发现铁磁性Cheng和Chien[12]在Zn0.93Mn0.07O薄膜中也没有观察到铁磁有序（测量温度低至5K），而是观察到顺磁行为；Kolesnik等[13]通过标准的固态反应工艺制备了Zn1-xMnxO (x=0.05)，在煅烧温度为900度以上才得到单相的Zn1-xMnxO，表现为顺磁性 虽然，对Mn掺杂ZnO的磁性起源还存在着争议，但一致认为DMS的磁性是空穴调制的。根据Dietl等人的理论，过渡金属掺杂的ZnO中的空穴与磁性阳离子中的自旋电子将产生一个强耦合作用Sato和Katayama-Yoshida当引入空穴后发生了从反铁磁态到铁磁态的转变形成p型的导电性是得到室温铁磁性的必要条件Mn掺杂后的浓度影响DMS的磁性：当和它的关联缺陷被消除，铁磁性也消失了[14]为了进一步探究Mn掺杂ZnO的磁性起源，我们有必要明确Mn掺杂后本征缺陷的变化本文从形成能的角度探讨缺陷的稳定性2 模型构建和计算方法 2.1 模型的构建 理想的ZnO是六角纤锌矿结构，空间群为P63 MC，Zn的六角密堆积和O的六角密堆积在c轴方向反方向嵌套，晶格常数a=0.3249 nmc=0. 521 nm，α=β=90o ，γ=120o. Zn原子位于4个相邻的O原子形成的四面体间隙中，O原子的排列情况于Zn相似本文的计算建立在周期性边界条件下ZnO晶体的超胞共包括32个原子建立ZnO的2×2×2的超胞 对与超胞中