磁性入門－半導体研究者のために－.docVIP

磁性入門佐藤勝昭東京農工大学工学部１．はじめに 「スピントロニクス入門セミナー」を提案したのは、「最近、スピンエレクトロニクスとか、MRAMとか、磁性半導体とかの言葉をよく耳にするようになったが、磁性というのは大学の講義でもなかったし、半導体の物性と違ってスピンが関与するので、磁気ヒステリシスのように話も。半導体屋にもわかる磁性のセミナーを開いてくれないか」という声を応用物理学会所属の半導体研究者から聞いたのがきっかけであった。そこで、この磁性入門では、磁性特有のに慣れてもらうことを第１の目的とした。QA形式でながら、だんだんに磁性の本質にふれていくこととしたい。ここでは、わかりやすさを重要視したので、理論的な厳密性は無視した。２． 磁化：磁化というのはmagnetizationの和訳で磁気を帯びるという意味で。。] 磁気モーメント磁界回転磁気モーメントmという。熱エネルギーに比べ十分強い磁界を加えた場合、磁界の向きに完全に配向する。磁気モーメントのが磁化Mで。超常磁性強磁性 強磁性というのは、ferromagnetismの和訳で。Ferroというのは「鉄の」という意味で鉄に代表されるような磁気的性質という意味で、外部磁界を加えなくても磁化自発磁化Q2: 強があるなら「弱磁性」というのもあるのですか。A: 強磁性体磁気が強いわけでは弱い磁化しか示さない強磁性体もたくさんあります。「弱磁性」ということばはません。弱い磁性反磁性(diamagnetism)、常磁性(paramagnetism)がありますFig. 5の原点(H=0, M=0)にあるが、磁界を印加するとO→A→B→Cとなって飽和する。この曲線を初磁化曲線という。飽和した状態Cでの磁化を飽和磁化といいMs(sはsaturation=飽和の意)と書く。この状態から磁界を減らすと、もはや、初磁化曲線を逆にたどることはなくC→Dの経路をたどり、磁界ゼロでも磁化はゼロにならない。この磁化を残留磁化とよびMr(rはremanent残存するの意)と記す。Dから負の磁界を加えると、D→Eの経路をとり、Eの状態のとき磁化はゼロになる。この磁界のことを保磁力Hc (cはcoercive=強制的なの意) という。さらに負の方向に磁界を増加すると、磁化は負の方向に飽和しFに達する。再び磁界を減らすとF→G→Cに戻る。この一周のループを磁気ヒステリシスという。ヒステリシスの面積はエネルギーを表している。 Q3: 強磁性体では、なぜ外部磁界を加えないのに自発磁化が生じるのですか A: 何らかの理由で、磁界を印加しなくても原子磁気モーメントの向きが同じ方向にそろうなら、自発磁化が生じます。ワイス(Weiss)は、１つの磁気モーメントを取り出し、その周りにあるすべての磁気モーメントから生じた有効磁界によって、考えている磁気モーメントが常磁性的に分極するならば自己完結的に強磁性が説明できると考えました。これを分子場理論、有効磁界を分子磁界または分子場(molecular field)という式で表されます。M0=Ng(BJはすべての磁気モーメントが整列したときに期待される磁化です。BJ(x)というのは、全角運動量量子数Jをパラメータとするブリルアン関数です。H=0のときHeff=AMですから、自発磁化が生じるには、(1)を変形し　M/M0=BJ(g(BAMJ/kT)= BJ(2zJexg(BMJ/ N(g(B)2kT)= BJ(2zJexMJ2/Ng(BJkT)= BJ((2zJexJ2/kT) M/M0)が成立しなければなりません。　ここで左辺をyとおき(y=M/M0)、BJの引数をxと置くと、x=(2zJexJ2/kT)(M/M0)=y(2zJexJ2/kT)。従ってy= (kT /2zJexJ2) xとなります。この式はFig.6の破線で表されます。破線の直線は温度が高いほど急に立ち上がります。一方、式(1)はy=Bs(x)となり、Fig.6の実曲線のように非線形の関数で表せます。両者の交点があれば解が存在し、自発磁化が生じます。　両者の交点から自発磁化Mの大きさが温度Tの関数として求められます。低い温度(T1)では交点が求まり、自発磁化が存在しますが、高い温度TTcでは交点がなく、自発磁化は存在しません。Fig.7は、こうして求められた自発磁化の温度変化の計算値を、金属磁性体の磁化の温度変化の実測値と比べたものです。多くの強磁性体の磁化の温度依存性の実験値は、分子場理論によってよく説明できます。 磁極：磁性体表面の法線方向の磁化成分をMn (添え字nはnormal=法線の意)とすると、表面には単位面積あたり( = Mnという大きさの磁極(単位はWb/m2)が生じる。 反磁界：Fig.