開裂與界面脫層破壞分析於薄膜及內連線結構之研究與應用.docxVIP

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2017-09-15 发布于重庆
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開裂與界面脫層破壞分析於薄膜及內連線結構之研究與應用.docx

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開裂與界面脫層破壞分析於薄膜及內連線結構之研究與應用郭蒨如研究目標與內容本文之研究目標主要希望藉由一有系統之失效分析流程，針對半導體元件中之內連線結構及薄膜兩個主題進行討論，提供有效改善元件可靠度之方法。主要從材料力學及破壞力學的觀點出發，配合有限元素軟體建構結構之虛擬模型以進行相關模擬，分別針對內連線結構及薄膜結構之失效問題進行討論，估計結構內部之應力分布及能量釋放率，探討不同材料參數、製程溫度等因素對內連線及薄膜可靠度之影響性。研究結果顯示，內連線結構之導線角落處會有應力集中問題，容易產生孔洞導致失效，且無論是薄膜或內連線結構，高應力都容易誘使裂紋擴展，因此選擇介電層材料時，在滿足電性與製程要求之前提下，可挑選楊氏模數與熱膨脹係數較低之材料，減少高應力的產生。若能控制製程溫度在一定程度之下，亦可有效提高元件之可靠度。內連線結構內連線結構其不同孔洞大小之應力分布內連線結構之孔洞位置與最大主應力關係圖雙材料薄膜開裂延伸至三層結構之薄膜開裂分析三層薄膜結構(a)幾何尺寸示意圖(b)網格與邊界條件三層薄膜開裂之中間層厚度綜合比較：Ef Em = Es