钛溅射和硅化钛形成在硅中引进深能级的研究.pdfVIP

维普资讯 第 8期 电 子 学 报 VoJ．21 N9-8 ACTA ELETC RONICA SINICA Aug． 】999 1993年 8月 047I．厂 钛溅射和硅化钛形成在硅 中引进 @ 深能级的研究 DeepLevelsinSiliconasaResultofT Sputteringand TiSi~Formation 产确吾 鼠洁 (半导体超晶格国家量 耍亘_室，中国科学院半导体研究所，北京100083)~ 武 国英 (北京大学徽电字孚研究所 ￡京100871)“ 【提要】利用DLTS技术详细研 究经钛涨射和RTA980C处理在n型和 p型硅里引进的 深能级．结果表明在 n型硅里有二十 ，在 p型硅里有三个深 能级生成．这些 能级 的浓度在 10”一i0娜 之间．它们的产生可归困于替位钛原子，钛与RTA相互作用的络合物． 关镑词：硅化物 ，溅射 ，深能级瞬态谱 一 一 ——— r— Abstract：Deeplevelsinn—typeandp-typesi，dueton—sputter~n8andRTA (RapidThermalAn- neanng )at980℃ ，a inv~tlgatcdbyusingDLTS (DeepLevelTransientSbectroscopy)technique．It isfoundthatTi—related．defectlevelsat(B 一 0．09eV)，( 一 0．26eV)，(B 十 0．29eV)，(B + 0．4leV)and (B + 0．53eV)arcproduced．Theeonccntrafio=1softhesedefectsrangefrom 10 to10 cm ，d印 er．ding onthetembe ratu~eofRTA ．ThesedefectleveJsmay beattributed to subsfitut／onalTi atoms．int~action of with RTA ． Keywordl：Silicide，Sputtering，DLTS 一 、 引 言 众所周知，过渡金属在硅禁带里能引进深能级．这些能级作为载流子陷阱或复合中心，决 定着硅器件的电性能 “．但对于包括钛在 内的过渡金属 ，人们知道得还不多．表 1总结了有关 文献报导的硅 中钛能级的有关情况． 由于钛硅化物低的电阻率 (15p,Q-cm)和好的热稳定性 ，它已经广泛地应用在硅VLS1技术 中。’”．对于TiSiz来说 ，形成硅化物的体积大约等于与之相作用的硅体积 ，这使得钛成为埋层 硅化物中非常有吸 I力的一种过渡金属．但 由于硅 中钛的高扩散率而导致产生的深能级有可 ·199Z年 5月收到．1993年 2月定精，国家 自然科学基金资助课鼬 L0Liwu，Zhou JJ~(NationalLaboratory Sup~Mtticesand