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第２４卷 第１期 无 机 材 料 学 报 Ｖｏｌ．２４，Ｎｏ．１
２００９年１月 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＩｎｏｒｇａｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ Ｊａｎ．，２００９
文章编号：１０００３２４Ｘ（２００９）０１０００１０７
ＺｎＯ基稀磁半导体磁性机理研究进展
１，２ １ １ １
刘学超 ，陈之战 ，施尔畏 ，宋力昕
（１．中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０；２．中国科学院研究生院，北京 １０００４９）
摘 要：稀磁半导体是指在非磁性化合物半导体中通过掺杂引入部分磁性离子所形成的一类新型功能材料．目前，稀磁
半导体的磁性来源和机理一直是该领域的研究热点，掺杂的磁性离子通过怎样的交换方式实现铁磁性一直存有争议．
本文对近几年来ＺｎＯ基稀磁半导体磁性机理研究进展作一综述，着重阐述了代表性的ＲＲＫＹ理论、平均场理论、双交换
理论和磁极子理论，对实验和理论方面的热点和存在问题作一评价，对磁性理论的研究提出了新思路．
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关 键 词：ＺｎＯ；稀磁半导体；磁性机理 i
中图分类号：Ｏ４０８ 文献标识码：Ａ n
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