多孔氧化铝模板制备ZnSMn纳米晶及其形成机制1.pdfVIP

多孔氧化铝模板制备ZnS:Mn 纳米晶及其形成机制1 王继强，茅惠兵，侯士丽，秦旭锋，徐琳 华东师范大学 信息学院，上海 （200241 ） E-mail: 51061202034@ 摘 要：采用二次阳极氧化法制备多孔氧化铝(AAO)模板。利用此 AAO 模板，采用电化学 沉积的方法制备 ZnS:Mn 纳米晶。对 AAO 模板进行扫描电子显微镜(SEM)测试，结果显示， AAO 模板孔洞分布均匀，孔径基本一致。对 ZnS:Mn 纳米晶进行了 SEM 测试和荧光光谱（PL ） 测试, SEM 测试结果表明，在 AAO 模板上沉积了一层 ZnS:Mn 纳米晶，PL 谱结果显示 Mn 离子成功的掺杂进ZnS 。从电负性角度讨论了ZnS:Mn 纳米晶的形成机制。 关键词：ZnS:Mn 纳米晶，光致发光， 电负性 中图分类号：TN304.2 文献标识码：A 文章编号： 1. 引言 硫化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体，禁带宽度为3.6 eV，被广泛应用于平板器，红外 检测器，光致发光器件，红外窗口，太阳能电池，传感器，激光器和生物医学等方面。化学 气相沉积 （CVD ）是合成硫化锌一维纳米材料的有效方法，通常这些CVD合成要求很高的 真空度和较为复杂的设备。另外，目前关于硫化锌纳米材料的物相和粒径的控制合成的研究 仍非常有限。 在1994年, Bhargava R N[1]等人首次发现在ZnS纳米粒子中掺入Mn后,Mn2+ 的桔黄色辐 射的发光效率比相应体材料有很大的提高,并且复合载流子的寿命大大缩短。自此,掺杂纳米 半导体微粒成为一个研究热点。 目前对ZnS:Mn纳米晶的制备一般采用水热法和溶胶－凝胶法。但是水热法设备要求高 （耐高温高压的钢材，耐腐蚀的内衬）、技术难度大（温压控制严格）、成本高；而 溶胶－凝胶法存在着制备过程中整个溶胶－凝胶过程所需时间较长等缺点。本文首次采 用模板法电沉积的方法制备了ZnS:Mn纳米晶，并从电负性角度讨论了ZnS:Mn纳米晶的形成 机制。 2. 实验 2.1 多孔氧化铝模板的制备 取一纯度为 99.999%的铝片，将铝片置于丙酮中进行超声清洗，再置于氮气气氛中， 在 450 ～650℃ 下退火 4 ～6 小时，然后对其进行电化学抛光，抛光温度为 0 ～10℃，最后 用酸溶液或碱溶液清洗铝片表面；接下来对其进行一次氧化，将处理过的铝片置于浓度为 20 wt% 的硫酸溶液中，在－6℃下，进行第一次阳极氧化，阳极氧化的电压和电流分别选为 30 V 和 10 mA，阳极氧化所用的阴极和阳极分别是铂片和铝片，时间为 5 个小时。将一次 氧化得到的样品放入质量分数 6%的磷酸+1.8%铬酸中 65℃水浴 60 分钟，去氧化铝膜，将得 到的样品进行二次氧化，即可得到含有孔径为 8 ～15 nm 左右的微孔阵列的氧化铝纳米膜； 然后放入质量分数 6 %的磷酸+1.8%铬酸中 65℃水浴 40 ～60 分钟去掉样品背面的氧化 铝层，再放入高浓度 SnCl4 溶液或者氯化铜溶液浸泡 8 小时中去掉铝基。再将此装置放入 6% 1 本课题得到国家自然科学基金）资助。 - 1 - 的磷酸，30℃反应 10 ～12 分钟去掉氧化铝层背面的阻挡层，从装置中取出样品，即可获得 去掉铝基的孔径为 8 ～15 nm 的氧化铝纳米模板。将制备好的氧化铝膜背面溅射一层金，作 为电极。 2.2 ZnS 纳米晶的制备 在室温下，配置含有 7.5 gL－1 氯化锌和 6.1 gL－1 硫单质的二甲基亚砜 （DMSO ）溶液； 在 120℃下，进行直流电沉积，直流电沉积的电流密度为 6.62 mA/cm2 ，将制备好的溅射过 金电极的氧化铝膜板作阴极，铂片作阳极，沉积时间为 30 分钟，取出模板，依次用二甲基 亚砜溶液、丙酮和去离子水冲洗干净，最后在室温下自然干燥，至此在模板上即可获得 ZnS 纳米晶。