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( ) A 　辑 　　　　　　 　 中　国　科 　学 　　　 第 29 卷 　第 7 期 SCIENCE IN CHINA ( Series A) 　 1999 年 7 月 纳米硅光学特性的研究 马智训 　廖显伯 　孔光临 ( 中国科学院半导体研究所 ,凝聚态物理中心 ,表面物理国家重点实验室 ,北京 100083) 摘要 　　结合微区 Raman 谱 ,研究了镶嵌在 SiO2 基质中纳米硅的吸收谱和光致发光 谱. 观测到了吸收边随纳米硅尺寸的减小而蓝移的现象. 并发现在 1. 9～3 . 0 eV 的 能量范围内,纳米硅的吸收系数与能量的关系为一指数关系 ,这可能是间接带隙的特 征. 在 0 . 95～1. 6 eV 之间存在次带吸收 ,这归因于包括非晶相在内的纳米硅表面态 和缺陷态. 通过发光谱与吸收谱的比较 ,认为声子可能参与了发光过程. 关键词 　　纳米硅 　量子限制效应 　Raman 谱 　吸收谱 　光致发光谱 1990 年 ,Canham[ 1] 观测到多孔硅的室温可见光发射以后 ,Lehmann 和 Gsele[2 ] 也发现了多 孔硅的吸收边从体硅的 1. 1 eV 蓝移到 1. 76 eV ,并均将此现象归因于二维量子限制效应. 这 是一个重要的科学突破 ,为硅基发光器件的应用开辟了新的前景 , 因而引起了人们极大的关 注. 理论上关切的问题之一是随着硅晶粒尺寸的减小 ,是否将原来体硅的间接带隙转变为直 接带隙. 在实验上人们就通过纳米硅或多孔硅吸收谱的测量来进行检测是否实现了直接带隙 的转变. 不幸的是到目前为止 ,没有任何直接带隙转变的迹象 ,在很大尺寸范围内仍为间接带 隙[3 ] . 但是 ,从另一个方面 ,把吸收谱和发光谱结合起来用来探讨纳米硅或多孔硅的发光机 [3 ,4 ] ( ) 制 ,也是卓有成效的. 近年来 ,纳米硅 包括多孔硅 的发光机制的探讨引起了很大的争 论 ,提出了各种不同的模型来解释各种不同的实验现象 ,而有些模型甚至互相矛盾. 问题是 , 每一种纳米硅膜是否就只有一种发光机制 ? 发光谱是已经弛豫了的能量状态的辐射复合部 分 ,它受非辐射复合路径的影响很大 ,这些可能是造成混乱的主要原因之一. 现在我们清楚地 认识到 ,要想对纳米硅的能带结构有相当的认识 ,就必须把反映振子强度的吸收特性与发光谱 结合起来. 这样才会对现在已经提出的种种发光模型有一个较为深入的了解. 本文结合微区 Raman 谱 、吸收谱和光致发光谱 ,研究了镶嵌于 SiO 基质中纳米硅的光吸收和光发射特性 ,探 2 讨了可能的发光机制. 1 　实验 我们以 SiH 和N O 的混合气体为气源 ,采用 PECVD 方法沉积了一系列 aSiO ∶H 薄膜. 4 2 x 2 ( ) 2 气压保持在 1. 06 ×10 Pa 左右 ,衬底温度为 300 ℃,射频 13 . 56 MHz 功率为 0 . 10 W/ cm . 改变 　　收稿 ( ) 　　 国家自然科学基金资助项 目 批准号 :6957602