1959物理气相沉积薄膜应力产生机理的理论分析.pdfVIP

房永思 等 :物理气相沉积薄膜应力产生机理的理论分析 1959 物理气相沉积薄膜应力产生机理的理论分析 1 1 1 1 2 房永思 ,唐 　武 ,翁小龙 ,邓龙江 ,徐可为 ( 1. 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 , 四川 成都 6 10054 ; 2 . 西安交通大学 金属材料强度国家重点实验室 ,陕西 西安 7 10049) 摘 　要 : 　在一维线性谐振子模型基础上 ,应用薛定谔 云 ,假设晶体中的原子以原子云的形式存在 ,把处于束 方程分析了晶体中原子的概率分布 ;将晶体中原子的 缚态的原子的概率分布定义为原子云 , 晶体的晶格常 概率分布定义为原子云 ,解释了物理气相沉积法制备 数的变化是由于原子云的变化所引起的。 薄膜时残余应力产生的原因 ,建立了薄膜残余应力产 在原子云假设的基础上 ,建立势能函数 ,用来求原 生机理的理论模型 。 子的概率分布的变化即原子云的变化 ,通过讨论原子 关键词 : 　薛定谔方程 ;原子云 ;薄膜 ;残余应力 云的变化来讨论基体以及薄膜晶格常数的变化 ,从而 中图分类号 : 　O484 . 2 ; TB43 文献标识码 :A 确定薄膜应力的产生机理 。对于三维的薄膜和基体 , ( ) 文章编号 :100 1973 1 2006 在讨论其内应力的产生时 ,一般只需考虑其二维的势 能函数即可 ,但是二维的势能函数建立以及计算分析 1 　引　言 也是很复杂 ,因此建立一维的势能函数 ,把一维线性谐 随着微电子技术的飞速发展 ,薄膜 电子器件的应 振子模型作为要建立的势能函数 ,易于理论分析 。 用越来越广泛 ,对薄膜的制备提出了越来越高的要求 。 定义势能函数表达式为 : 而薄膜残余应力一直是导致薄膜及相关器件失效的一 1 2 2 U = mωx 个十分重要的原因[ 1～4 ] 。薄膜残余应力随薄膜厚度的 2 增加而增大会引起厚膜的剥落 ,从而限制了薄膜的厚 　　其中 U 为势能 , m 为原子的质量 ,ω为常量 ,表示 度 ;在半导体中 ,薄膜残余应力将影响禁带漂移 ;在超 振子的固有角频率 , x 为此一维坐标 。其函数图形如 导体中,残余应力影响超导转化温度以及磁各向异性 ; 图 1 ,其中a 为晶体的晶格常数 。 薄膜残余应力还引起基体的变形 ,这在集成电路技术 中是极为有害的。并且 ,应力还会导致其它一些问题 的出现 ,如 :弱化结合强度 、产生晶体缺陷、破坏外延生 长薄膜的完整性 、在薄膜表面产生异常析出、影响铁电 薄膜电滞回线及蝶形曲线等等[ 5～8 ] 。 基于薄膜残余应力的重要性 ,研究薄膜残余应力 是很有意义的[9～11 ] 。目前 ,一般认为薄膜的应力分为 外应力和内应力 ,而内应力又分为热应力和本征应力 , 图 1 　一维线性谐振