图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能.pdfVIP

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2017-09-15 发布于重庆
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图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能.pdf

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第卷第期液晶与显示，２６４Ｖｏｌ．２６Ｎｏ．４　　　　　年月，２０１１８ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓＡｕ．２０１１ｑｙｐｙｇ文章编号：（）１００７２７８０２０１１０４０４８６０４图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能，１３２吕文辉，张帅　（湛江师范学院物理系，广东湛江，，：；１．５２４０４８Ｅｍａｉｌｌｖｗｅｎｈｕｉｌａｈｏｏ．ｃｏｍ．ｃｎ＠ｙｙ湛江师范学院科技处，广东湛江；浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江杭州）２．５２４０４８３．３１００２７　　　摘要：结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极，研究了其　场发射性能。扫描电子显微镜照片显示，嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向，形成图形化。场发射测试与分析表明，该阴极能够有效实现场电子发射，并且有利于获得图形化、低发散角的电子束。本研究提供了一种在硅基底上简单、有效地选域制备图形化硅纳米线阵列场发射阴极的途径，可潜在用于构筑各种真空微电子器件。关键词：图形化的硅纳米线阵列；金属援助硅化学刻蚀；场发射　　中图分类号：文献标识码：：／Ｏ４６２．４Ａ犇犗犐１０．３７８８ＹＪＹＸ０４８６　　　　　　犉犪犫狉犻犮犪狋犻狅狀犪狀犱犘狉狅犲狉狋犻犲狊狅犳犘犪狋狋犲狉狀犲犱犛犻犖犪狀狅狑犻狉犲犃狉狉犪狊犉犈犇犆犪狋犺狅犱犲狆狔，１３２，ＬＶＷｅｎｈｕｉＺＨＡＮＧＳｈｕａｉ（，，，，：；１．犘犺狊犻犮狊犇犲犪狉狋犲犿犲狀狋犣犺犪狀犻犪狀犖狅狉