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反应熔渗法制备BB4C/Al-AlN复合材料的研究标题1 翁哲，马南钢 华中科技大学材料成型与模具技术国家重点实验室，湖北武汉(430074) E-mail：weng8385@ 摘 要： 本文采用反应熔渗法，将熔融金属Al渗入BB4C-BN多孔预制体中制备了BB4C/Al-AlN 复合材料，运用扫描电子显微镜（SEM ）和X射线衍射仪（XRD ）分析了复合材料的成分以 及微观形貌，并对制备过程中发生的化学反应进行了初步探讨。结果表明，制备过程中发生 了B4B C 、BN和Al 的三元反应，且反应仅有AlN生成，说明BB4C与BN可以相互抑制对方与Al 反应生成有害的硼、碳化合物。所制备的复合材料具有双连续相结构，B4B C相和Al相各自形 成三维连通的网状结构，高导热的AlN颗粒均匀分布在Al相中，这种结构将有助于提高材料 的导热性能。 关键词：反应熔渗法；B4B C/Al-AlN复合材料；电子封装材料 1. 引 言 随着现代电子与信息技术的飞速发展，对电子元器件的集成度和运行速度的要求越来越 高，相应功耗也越来越大。单芯片功耗从70W （1997 年），110W （2001 年），增加到160W [1] 6 [2] （2006 年） ，集成度超过 10 的超大规模集成电路的发热功率可能达到400W 。这必将 导致单位面积的发热量大幅度增加，工作温度急剧上升。一般情况下，半导体器件的温度每 升高18℃，其失效的可能性就增加2~3 倍[3] 。因此，如何及时有效地散热，提高芯片的散热 效率，使电路在允许的温度下正常工作显得非常重要。虽然可以通过增加散热器或冷却系统 降低温度，但这样却增加了成本以及体积，不能满足系统结构向轻型化、小型化方向发展。 要从根本上解决问题，开发和研制具有高导热性及良好综合性能的新型电子封装材料十分必 [4, 5] 要 。 碳化硼（B4C ）作为特种陶瓷，具有低密度（2.52g·cm-3 ）、与硅芯片或陶瓷基板相匹配 的热膨胀系数（3.38~4.5×10-6/K ）、高硬度（27~34GPa ）、抗氧化能力强以及高的化学惰性 等其它材料无法比拟的综合性能[6-10]，展现出了其作为封装材料的发展潜力。但是，由于B C 4 -1 -1 [6-8] 热导率较低（22~29 W·m ·K ） ，且不易加工成型，尚无人问津。 氮化铝（AlN ）具有很高的热导率（理论值为319 W·m-1·K-1 ，实际值可达280 W·m-1·K-1 ） [11, 12] 。但是，AlN粉末价格昂贵，且易水解，在表面形成多孔的Al-O-N化合物并向内发展， 使得AlN粉体的储运十分困难。另外，在AlN粉体制备、存储，烧结助剂或第二增强相的添 加、混和与成型过程中不可避免地带入了大量的杂质氧，高温时氧会进入AlN 的晶格中，大 大降低了材料的导热性能。 反应熔渗法是近年来发展起来的一种崭新的复合材料制备技术[13] ，反应熔渗法兼具熔 渗法和原位反应法的优点，具有工艺方法简单，不需要复杂的制备设备，可实现近净成型， 节约成本等特点，同时复合材料中的第二相是在制备过程中直接经由原料物质间的化学反应 形成的，避免了杂质的混入，界面清洁且强度高。 因此，本文采用反应熔渗法，先在B4C粉末中混入BN粉末，经过造粒、压坯和预烧形成 具有一定强度的多孔陶瓷预制体，再将熔融金属Al渗入预制体中，制备了B4C/Al-AlN复合材 料，以尝试提高B C 的热导率。由于目前尚未有原位反应制备B C-AlN-Al体系复合材料的研 4 4 1 本课题得到总装备部重点基金资助项目(6140505)的资助。