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太阳电池用晶体硅片绒面制备的研究 刘超 卢庆韦 许欣翔 沈辉 中山大学太阳能系统研究所 摘要：本文研究了太阳电池用单晶硅片和多晶硅片绒面的制备工艺。分别用 Na CO /NaHCO 和NaOH/异丙醇（IPA）体系制备出了单晶硅片减反射绒面，分析了 2 3 3 两者的优劣和影响绒面制备的各种因素。研究了HF/HNO3体系在制备多晶硅绒面 时，HF和HNO 的浓度及缓和剂HPO 的影响。 3 3 4 关键词：单晶硅 多晶硅 绒面制备 1 引言 太阳电池的表面反射率是影响太阳电池光电转换效率的重要因素之一。在太 阳电池表面织构化可以有效降低太阳电池的表面反射率，入射光在电池表面多次 反射延长了光程，增加了对红外光子的吸收，而且有较多的光子在p-n结附近产 生光生载流子，从而增加了光生载流子的收集几率；另外同样尺寸的基片，绒面 电池的p-n结面积较大，可以提高短路电流，效率也有相应的提高。但太阳电池 [1] 的表面织构化也会提高光生载流子的表面复合速率 。 在工业上广泛采用化学腐蚀法来制备太阳电池表面绒面。由于不同晶向的硅 在碱性溶液中腐蚀的速率不同，利用这种差异可以用碱性溶液在100晶向的硅 片上腐蚀出类似金字塔不规则排列的绒面结构。入射光可以在金字塔的侧面上形 成两次或两次以上入射，从而大大降低了硅片的反射率。 当前工业上应用的刻蚀液体系主要为NaOH/异丙醇（IPA）体系，但异丙醇的 价格较高，造成绒面制备的成本上升，且异丙醇蒸汽有一定的毒性，所以人们希 望找到一种价格低廉而又安全的绒面制备体系，从而促进太阳电池工业的发展。 当前在实验室里，实验的腐蚀液体系主要有NaOH/Na SiO 体系，Na CO /NaHCO 体 2 3 2 3 3 系[2] [3] ，NaPO 体系 。浙江大学的硅材料重点实验室曾经用NaOH/CH COONa体系来 3 4 3 制备单晶硅绒面，取得了最低12.49%的反射率（400～800nm）。并且认为CH COONa 3 [4] 在绒面制备过程中起到了和IPA相似的作用 。 多晶硅片由于晶向复杂，不能像单晶硅一样用碱性溶液腐蚀产生金字塔型的 绒面结构。因此大多采用HF/HNO 体系进行绒面的制备。硅和这种溶液反应的速 3 度与晶向无关，是各向同性的，因此可以腐蚀出椭圆形的凹坑，入射光在凹坑中 多次入射，从而起到陷光效果。 本文的研究工作主要包括单晶硅绒面制备和多晶硅绒面制备两个方面。在单 晶硅绒面制备方面，考察了碱性腐蚀液和酸性腐蚀液在去除损伤层时的效果。比 较了Na CO /NaHCO 体系和NaOH/异丙醇（IPA）体系在绒面制备的异同，希望通 2 3 3 过两种体系的对比，来寻找一种成本更低，效果更好，并且更适合工业生产的绒 面制备方法。 在多晶硅绒面制备方面，我们通过固定HF和HNO 中的一个的浓度，改变另外 3 一个的浓度来研究两者对绒面制备的影响，然后在HF/HNO3体系中加入缓冲剂 H PO ，研究HPO 对绒面制备的影响。实验中所使用单晶硅片为Solsix公司的（100） 3 4 3 4 晶向的P型单晶硅片，电阻率为 0.5～2Ω/cm，厚度为320+40 μm ，所用多晶硅片