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奈 米 通 訊 CDO排水問題之改善 林永彬、鄭淵源、吳世全 國家奈米元件實驗室 以上是半導體製程之主要廢氣來源，其 前言 他尚有一般排氣和熱排氣等。 半導體產業由於產品變化性大與多樣性 的製程，因此在製造過程中所使用的酸鹼溶 氣體的危害 液、有機溶劑及特殊氣體的種類也十分多 樣，而且使用量的變化也很大。從廠務與工 整體而言，化學性氣體所導致的危害概 安的角度來看，製程中化學物質與溶劑的使 可歸類為下列三種類型： 用量與種類越多，表示所排放出來的廢氣中 污染物也越多越難處理，對人體健康的影響 1. 缺氧作業： 及對環境的危害也越嚴重。因此良好的製程 正常空氣中氧的含量約 2 1 % ，若有其他 排氣系統，乃是維持廠區正常運作、維護人 氣體不甚大量流入作業場所，將導致氧氣濃 員安全的重要關鍵。 度下降至 1 8 %以下，則此場所稱為「缺氧作 業環境」。當氧氣濃度愈低時，其作業環境 氣體污染源 之危險性也愈高，亦愈有可能造成工安事 故。 廢氣排放系統之主要目的在於去除或降 低有害氣體對人體及環境的影響。而有害廢 2. 可燃性氣體(Combustible Gas) ： 氣概可分為酸鹼廢氣、可燃性廢氣、有機廢 進行燃燒反應必須具備足夠的燃料、充 氣、一般廢氣等，這些有害氣體主要是來自 分的氧氣和引發燃燒的熱源等三要素。若可 製程機台所產生的氣體污染物；然而製程中 燃性氣體濃度低於爆炸下限(Lower Explosive 幾乎每個步驟都有可能使用各式各樣的酸鹼 Limits, LEL)時，由於燃料不足而無法進行燃 物質、有機溶劑及有毒氣體。這些化學物質 燒反應；抑或可燃性氣體濃度高過爆炸上限 再經反應後，將會形成其他種類的產物，所 (Upper Explosive Limits, UEL)時，則由於燃 以每個製程幾乎都可能是氣體污染物的來 料過多和氧氣不足而仍無法進行燃燒反應； 源。 唯有達爆炸界限(Explosive Limits, EL)範圍 若依污染物的特性及其來源，製程氣體 時，有足夠氧氣，亦有引發燃燒的熱源，則 污染區可歸納為下列三處： 有可能導致燃燒之發生。 ( 1 ) 氧化、擴散及化學氣相沈積製程中所使 若可燃性氣體或蒸氣在封閉空間內進行 用具有毒性、可燃性的氣體，以及其反 燃燒反應，則燃燒所產生之氣體及熱能，因 第 應後所生成之廢氣。 無法釋放而使得此密閉空間處於高溫高壓