一种简易的硫化亚锡微米棒薄膜的合成.pdfVIP

下载本文档

41
0
约7.65千字
约 3页
2017-09-14 发布于湖北
举报
版权申诉

一种简易的硫化亚锡微米棒薄膜的合成.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第36卷第1期浙江师范大学学报(自然科学版) V01．36，No．1 Journalof Normal Feb．2013 2013年2月 Zhejiang University(Nat．Sci．) 文章编号：1001-5051(2013)01-0065-03 一种简易的硫化亚锡微米棒薄膜的合成杜元宝，韩聪，蔡嫦芳，孟庆哲，孟秀清，吴锋民 (浙江师范大学LED芯片研发中心，浙江金华321004) 摘要：为了得到高纯度的硫化亚锡薄膜，利用恒电压法成功制备了硫化亚锡微米棒薄膜，并将该薄膜在 200℃真空退火1 h．结构和形貌分析表明：该薄膜是由2-5斗m的细棒组成，并且优先沿着(101)晶面方向生长．拉曼光谱表明该薄膜具有较高的纯度．关键词：微米棒；乙二胺四乙酸(EDTA)；恒电压法；温度退火中图分类号：0646．54 文献标识码：A Afacile ofSnSmicrorodsfilms synthesis DU CAI MENG MENG WU Yuanbao-HANCong， Changfang， Qingzhe， Xiuqing， Fengmin Normal (Research Emitting University-JinhuaZhej如ng321004，China) CenterforLight Diodes《LED)，Zhejiang with SnSmicrorodsfilmswere constant orderto SnS Abstract：In highpurity，the preparedby potential get and annealedat200。Cundervacuumconditionsfor1 h．Thestructure cathodic methodand electro-eposition filmswere ofmicro—sizedrods．Theoftherodswasina showedthe length range morphologyanalysis composed of2—5microand oriented indicatedthatthemicrorods the【101)plane．Ramanspectra preferentiallyalong filmshadahighpurity． cathodic anneal Keywords：microrods；EDTA；constantpotential method；temperature 膜的方法主要有：化学沉积法㈣、电化学沉积 0引言法‘6|、真空蒸镀法‘7。、喷雾裂解法‘81等．在以上所硫化亚锡的直接带隙为1．2—1．5eV，间接有方法