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第 卷 第 期 武 汉 理 工 大 学 学 报
34 3
Vol.34 No.3
年 月 JOURNALOFWUHANUNIVERSITYOFTECHNOLOGY Mar.2012
2012 3
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DOI10.3963 .issn.1671-4431.2012.03.005
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磁性隧道结隧穿电导和磁电阻的研究
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黄 政 胡 浩
( , )
贵州大学光电子技术及应用重点实验室 贵阳 550025
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摘 要 针对由一平面磁性势垒隔开的两铁磁性金属电极构成的磁性隧道结 基于自由电子近似并利用传递矩阵方法
、 , ( ) (
计算了其零偏压下的隧穿电导 自旋极化率和隧穿磁阻比率 研究表明隧道结的磁结构对 TC 隧穿电导 和 TMR 隧穿
) , , , ,
磁阻 的值有很大的影响 当两磁性电极分子场方向相同 且都与势垒层分子场反平行时 TC数值达到最大 两者平行
, , 。
时 TC的数值最小 同时还分析了分子场的相对取向等对磁性隧道结自旋极化电子输运性质的影响 研究结果对自旋
电子器件的设计具有一定的指导意义。
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关键词 隧穿磁阻 隧道结 透射系数
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
O485 A 1671-4431201203-0020-03
Stud ofTunnelin ConductanceandManetoresistance
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inManeticJunctions
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HUANGZhen HUHao
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( , , , )
Ke LaboratorforPhotoelectricTechnolo andA lication GuizhouUniversit Guian 550025 China
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