栅长对PDSOINMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 24 (2012) 240703 栅长对PD SOI NMOS 器件总剂量辐照 效应影响的实验研究* 彭里 卓青青刘红侠 蔡惠民 ( 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071 ) ( 2012 年6 月6 日收到; 2012 年7 月10 日收到修改稿) 本文对PD SOI NMOS 器件进行了 Co 射线总剂量辐照的实验测试, 分析了不同的栅长对器件辐射效应的影 响及其物理机理. 研究结果表明, 短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大, 使器件跨导出现退化. PD SOI 器件的 局部浮体效应是造成不同栅长器件辐照后输出特性变化不一致的主要原因. 短沟道器件输出特性的击穿电压更低. 在关态偏置条件下, 由于背栅晶体管更严重的辐射效应, 短沟道SOI 器件的电离辐射效应比同样偏置条件下长沟道 器件严重. 关键词: PD SOI NMOS, 总剂量辐照效应, 栅长, 偏置状态 PACS: 07.85.Fv, 61.80.Ed, 24.50.+g 定的成果. 但对短沟道器件的辐射效应退化机理还 1 引言 没有统一的认识. 文献[4] 认为器件栅长的变化主 要影响辐照感生界面态的形成, 导致短沟道器件辐 随着国内航天技术的迅速发展, 更多的电子元 照后阈值电压发生更大的漂移量. 文献[5] 认为当 . 器件将会被应用到宇宙辐照环境中 大量的宇宙射 施加相同总剂量时, 栅长度不同的器件辐照感生界 线以及带电粒子会对器件造成损伤, 导致器件性能 面态的生长大致相同, 差别在于辐照感生氧化层陷 退化甚至失效, 严重影响了航天设备的正常运行. 阱电荷生长的数量. 文献[6—8] 研究了沟道长度对 绝缘体上硅(silicon-on-insulator, SOI) 技术由于在 体硅深亚微米器件辐照特性的影响, 认为短沟道器 辐照加固领域上的优势而备受关注, 全介质隔离的 件更容易受到边缘寄生晶体管的影响, 导致了较大 器件结构有效地消除了CMOS 器件的闩锁效应, 减 的总剂量效应. 大部分研究工作是基于阈值电压漂 少了单粒子翻转界面, 具有极好的抗单粒子和瞬时 移损伤模式, 对其他器件特性参数, 如跨导等参数 辐照能力. 由于总剂量电离损伤来自辐照在氧化物 受栅长影响的分析不多. 中产生的电荷俘获和界面态, 埋氧层的存在使SOI 本文研究了0.8 m 标准工艺下, 栅长对部分耗 结构的总剂量效应更加复杂, 总剂量效应成为导 尽(partially depleted, PD) SOI NMOS 器件的总剂量 致SOI 器件性能退化和失效的主要原因. 效应的影响. 相同剂量下, 栅长不同的器件辐照感 自上世纪90 年代以来, 随着SOI 材料制造成 生界面态生长的数量不同, 短沟道器件辐照后感生 本的降低及质量的大幅度提高, 国内外先后展开 界面态密度更大. H 形栅PD SOI 器件的局部浮体 了SOI 技术的总剂量效应研究 , 在对SOI 器件 效应受栅长的影响, 这也是不同栅长器件辐照后输 总剂量效应的损伤机理及影响因素方面取得了一 出特性变化不一致的主要原因.