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面向 3G 基站的基于专用晶体管（带综 合偏置）的非对称 Doherty 技术 作者：飞思卡尔 Jean-Jacques BOUNY 地址：Freescale Semiconductor, 134 av. Eisenhower, B.P.72329, 31023 Toulouse Cedex 1, France 摘要 — 随着 Doherty 放大器已经成功地广泛部署到蜂窝电话基站中，因此现 在我们应考虑如何使用特定的专用器件提高整个放大器的性能并缩减成本。 我 们将在文中介绍由飞思卡尔半导体开发的一组专用 LDMOS 晶体管。该产品将用 于非对称 Doherty 拓扑，在这个拓扑中，载流子（主）晶体管包括一个综 合 AB 类偏置，而峰化（从）晶体管则包括一个综合 C 类偏置。 两种晶体管采用相同 封装，但输出功率有 1dB的差异，以提高Doherty 的整体效率，并构建56dBm (400W) 峰值功率放大器。 文中还将介绍支持 CW 和 3G 信号的整个 Doherty 放大器的 设计和测量，显示该解决方案相对于使用经典 “AB类优化”晶体管的常规对称 Doherty 放大器的优势。 术语索引 —3G， Doherty， 功率放大器，偏置 I. 介绍 常规对称 Doherty [1]放大器现已在蜂窝基站中广泛使用。设备生产商采用最初 为 AB 类准线性应用设计的常规器件，证明了这些解决方案的可行性和线性化特 征。下一步将是改进 解决方案。现在设备生产商应当提供专用组件，以提高性 能，改善 “使用的便利性”，降低放大器级的成本。 飞思卡尔半导体针对 2.11GHz-2.17GHz 频段的 3G 市场的方案是，提供包含 2 个 专用 LDMOS [2]器件的芯片集，用于非对称 Doherty 拓扑。该放大器的目标是要 实现 56dBm 的峰值功率，以便在放大器输出上实现 50W 到 60W 的平均功率，并 提供适当余量，使用当前的 3G 信号：峰均功率比（PAR）在6dB 和 7dB 之间的 2 个 WCDMA 载频。 现有设计要与更高性能的放大器之间实现平滑过渡，必须采用下列设计选项：在 载频和峰值器件之间应用 1dB 非对称电平，优化内部匹配网络来允许宽带放大 器设计（是规定带宽的 3 倍）。此外，为了提高视频带宽（VBW)，减少对存储器 的影响，抑制调整和减化放大器 设计人员的现场工作，专门设计了特定偏置电 路，综合在晶体管中。 II. 综合偏置法 AB 类偏置电路是为了给 RF 晶体管栅极提供一个电压，以固定静电流（Idq）。 为了实现这一目的，必须在带 RF 晶体管的相同芯片上综合小型 参考晶体管，并 在其里面注入静电流刻度值。 该参考的栅压复制到 RF 晶体管栅极。在参考和 RF 晶体管之间插入一个缓冲器，以视频频率提供很低的阻抗，从而抑制任何外 部栅极解耦。缓冲器电压直接从 RF 晶体管（Vdd）的漏极中获取。此类配置提 供理想的、非常快速的热补偿，这在外部是不能实现的。 图 1. (a) AB 类偏置电路； (b) C类偏置电路。 图 1 显示的是偏置电路的电气示意图。在 Doherty 中，载流子（主）放大器使 用 AB 类偏置，峰值（从）放大器将使用 C 类偏置。The usual strategy to set the peaking bias is to evaluate the class AB gate voltage and then apply a fixed voltage delta to control the point where the peaking will start to work. 设置峰值偏置的常用策略是，评估 AB 类栅压，然后应用固定的电压 增量来控制峰值开始出现的点。C 类偏置由原来的 AB 类偏置电路演变而来，AB 类设置通常在内部是固定的， “Vdelta ”是由放大器设计人员选择的唯一外部 控制。在这 2 个偏置电路中，可以轻松发现它们还提供流程补偿，并且在生产中 不需要任何调整。 III. 载流子和峰化晶体管 载流子和峰化晶体管设计用来满足综合偏置电路的要求，并且同时允许宽频匹配 和高阻抗。图 2 显示了一个载流子晶体管的内部示意图，其中活动芯 片包括 RF 晶体管、偏置电路和输入预匹配元素。输入口添加了系列电容器，以便将栅压与 外部控制电压隔开，从而允许使用常规的 2 引脚封装。输出预匹