亚微米尺度高速电光调制器的研究进展.pdfVIP

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2017-09-14 发布于重庆
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亚微米尺度高速电光调制器的研究进展.pdf

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第 39卷　第 3期　　　　　　　　　　　　　　　激光与红外 Vo l. 39,No. 3 　 2009年 3月　　　　　　　　　　　　　　LA SER 　　IN FRARED M arch, 2009 　　文章编号 : 100 15078 (2009) ·综述与评论 · 亚微米尺度高速电光调制器的研究进展周　亮 ,余金中 (中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 ,北京 100083) ( ) 摘　要 :基于 SO I silicon on in su lator 材料的亚微米尺度电光调制器成为了研究 Si光电子学的重点。评述了亚微米尺度下 SO I脊型光波导实现单模条件、偏振无关、低耦合损耗的技术要求 ,分析并比较了几种基于不同光学结构和电学结构的电光调制器的原理和特性 ,讨论了达到高速电光调制的方式。关键词 : SO I;单模条件 ;偏振无关 ;高速电光调制器中图分类号 : TN 76 1　　　文献标识码 : A Recen t Progress of Subm icrom eter H ighspeed Electrooptic M odula tors ZHOU L iang, YU J inzhong ( State Key L aboratory on Integrated Op toelectron ics, In stitu te of Sem iconductors, Ch ine se A cademy of Science s, B eij ing 100083, Ch ina) A b stract: Silicononin su lator ( SO I) based subm icrom eter electroop tic modu lators becom e the key point of Siba sed op toelectron ic re search ing. In th is p ap er, the techn iques requ irem ent to ach ieve singlemode condition, po larization de p endence, low coup ling lo ss in SO Ibased subm icrom eter rib wavegu ide are reviewed. The p rincip le and characteristic of several op toelectron ic modu lators ba sed on differen t op tic or electric structures is analyzed and comp ared, resp ec tively. Then, the po ssib le ways to ach ieve h igh sp eed op toelectron ic modu lation are discu ssed. Key words: silicononin su lator ( SO I) ; sin