分子束外延生长亚稳态ZnCdSeMgSe低维量子阱结构及其光学性质.pdfVIP

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2017-09-14 发布于湖北
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分子束外延生长亚稳态ZnCdSeMgSe低维量子阱结构及其光学性质.pdf

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第34卷第7期发光学报 Vol-34No-7 2013年7月 CHINESE OFLUMINESCENCEJuly，2013 JOURNAL 文章编号：1000-7032(2013)07-0811-05 分子束外延生长亚稳态ZnCdSe／MgSe 低维量子阱结构及其光学性质李炳生n，SHEN Ai．don92 (1．哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院，黑龙江哈尔滨150080； ofNew York ofElectrical ofthe York，New 2．Departmenl Engineering，TheCityCollegeCityUniversity 10031，USA) 构。并通过光致发光和子带吸收方法，分析其能带结构。在单量子阱样品制备过程中，高能电子衍射强度振荡表明MgSe可以实现二维生长模式。衍射图样证明其为亚稳态闪锌矿结构。通过引入厚的zn。cd，一。se空间层，抑制了MgSe垒层的相变，并能进一步提高样品的结晶质量，得到高结晶质量的多量子阱结构。通过计算 eV。不同阱宽的能带与光致发光实验比较，证明了Zn，Cd。Se／MgSe的导带带阶为1．2eV，价带带阶为0．27 为了进一步验证其能带结构，制备了电子掺杂的zn。Cd。Se／MgSe的多量子阱，观测到半高宽很窄的中红外吸收。利用发光谱确定的带阶计算了量子阱中子带的吸收波长，和实验结果非常吻合。设计了一种双量子阱结构。计算结果显示，通过利用量子阱中的耦合效应，可以实现1．55 p．m光通信波段的吸收。关键词：分子束外延；II—VI族量子阱；闪锌矿MgSe；能带带阶中图分类号：0484．4 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0811 of OpticalPropertiesZnJCdl一膏Se／MgSe Beam WellsGrownonInPSubstrateMolecular Quantum by Epitaxy LI Bing．shengh，SHENAi—don92 Fundamentaland Institute Sciences，Harbin (1．Academyof Interdisciplinary ofTechnology(肼r)，Harbin150080，China； York York，New10031，USA) 2．DepartmentofElectricalEngineering，TheCityCollegeoftheCity．UniversityofNew