掺杂离子对白色长余辉发光材料Y2O2S∶Tb3Eu3M2MMgCaSrBaZr4性能的影响.pdfVIP

第34卷第3期 发 光 学 报 V01．34No．3 2013年3月 CHINESE 0FLUMINESCENCEMar．，2013 JOURNAL 文章编号：1000．7032(2013)03-0262-06 掺杂离子对白色长余辉发光 S：Tb3+， 材料Y202 Eu3+，g+(M=Mg，Ca，Sr，Ba)，Zr4+ 性能的影响 黄 平1，杨 帆1，崔彩娥1’孙，王 磊1，雷 星1 (】．太原理1=：大学物理与光电工程学院，山西太原030024； 2太原理工大学测量控制技术研究所．山西太原030024) 利用x晶体衍射、发光光谱、余辉曲线和热释光曲线等对制备的材料进行表征。结果表明：掺杂离子没有改 变样品晶体结构和发射峰的位置，但对其发光强度、余辉时间及陷阱深度有较大的影响。在263nm紫外光的 nm和626 nm的发射对应于Tb¨ 激发下，469 nm的发射分别对应于Eu“的5n一7F。、5Do一7F，跃迁，544 的5D。一7F，跃迁，主要通过它们的混合产生白光。掺杂不同二价离子样品的余辉性能按Mg“、sr2+、ca“、 S Ba2+的顺序递减，其中掺杂M92+的样品，色度坐标为(0．29，0．32)，陷阱深度为1．17eV，余辉时间长达320 (≥1mcd／in2)，表现出最佳的发光性能。 关键词：白色长余辉；Y20：s：Tb3+，Eu“，膨+，zr“；稀土 中图分类号：0482．31 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0262 Effectof Ionson ofThe Doping PropertiesWhite-lightLong--lasting Phosphor HUANG Fanl，CUICai—e1·”，WANGLeil，LEI Pin91，YANG Xin91 and of 030024，China； (1．PhysicsOptoelectronicEngineeringCollege，TaiyuanUniversityTechnology，Taiyuan 2．ObservationandControl Research Institute，Ta咖an 030024，China) Technology UnizersityofTechnology，Taiyltan $CorrespondingAuthor，E—mail：tytgcejy@sina．con long—lastingphos— were thesolid—statereactionmethod．The werecharacterizedX— phors synthesizedby phosphors by diffracti