N2OPlasma表面处理对SiNx基IGZOTFT性能的影响.pdfVIP

下载本文档

50
0
约1.85万字
约 4页
2017-09-14 发布于湖北
举报
版权申诉

N2OPlasma表面处理对SiNx基IGZOTFT性能的影响.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第３３卷　第４期发　光　学　报Ｖｏｌ３３Ｎｏ４２０１２年４月ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥＡｐｒ．，２０１２文章编号：１０００７０３２（２０１２）０４０４０００４ＮＯＰｌａｓｍａ表面处理对ＳｉＮ基ＩＧＺＯＴＦＴ性能的影响２ｘ１，２ １１２２１２李　俊，周　帆，林华平，张　浩，张建华，蒋雪茵，张志林（１．上海大学材料科学与工程学院，上海　２０００７２；２．上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室，上海　２０００７２）摘要：采用ＮＯｐｌａｓｍａ处理ＳｉＮ薄膜作为绝缘层，以室温下沉积的铟镓锌氧化物（ＩＧＺＯ）作为有源层制备了２ｘ２－１－１ＩＧＺＯ薄膜晶体管。与常规的ＩＧＺＯＴＦＴ相比，ＮＯｐｌａｓｍａ处理过的ＩＧＺＯＴＦＴ的迁移率由原来的４．５ｃｍ ·Ｖ ·ｓ增２２－１－１加至８．１ｃｍ ·Ｖ ·ｓ，阈值电压由原来的１１．５Ｖ减小至３．２Ｖ，亚阈值摆由原来的１．２５Ｖ／ｄｅｃａｄｅ减小至０．９Ｖ／ｄｅｃａｄｅ。采用ＣＶ方法计算了两种器件的陷阱态，结果发现ＮＯｐｌａｓｍａ处理过的ＩＧＺＯＴＦＴ的陷阱态明显小２于普通的ＩＧＺＯＴＦＴ的陷阱态，表明ＮＯｐｌａｓｍａ处理ＳｉＮ绝缘层是一种改善ＩＧＺＯＴＦＴ器件性能的有效方法。２ｘ关　键　词：薄膜晶体管；ＩｎＧａＺｎＯ；ｐｌａｓｍａ处理；ＮＯ２＋中图分类号：ＴＮ３２１．５　　　文献标识码：Ａ　　　ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ０４００ＥｆｆｅｃｔｏｆＮＯＰｌａｓｍａＴｒｅａｔｍｅｎｔｏｎ２ＴｈｅＳｉＮｂａｓｅｄＩｎＧａＺｎＯＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｘ１，２ １１２ＬＩＪｕｎ，ＺＨＯＵＦａｎ，ＬＩＮＨｕａｐｉｎｇ，ＺＨＡＮＧＨａｏ，２１２ＺＨＡＮＧＪｉａｎｈｕａ，ＪＩＡＮＧＸｕｅｙｉｎ，ＺＨＡＮＧＺｈｉｌｉｎ（１．ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００７２，Ｃｈｉｎａ；２．ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＡｄｖａｎｃｅｄＤｉｓｐｌａｙａｎｄＳｙｓｔｅｍＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ，ＥＭＣ，ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００７２，Ｃｈｉｎａ）