基于ZnS量子点与聚合物混合层的有机双稳态器件的记忆特性及其载流子传输机制.pdfVIP

第３３卷　第４期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３３ Ｎｏ４ ２０１２年４月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ａｐｒ．，２０１２ ＡｒｔｉｃｌｅＩＤ：１０００７０３２（２０１２）０４０４２８０５ ＭｅｍｏｒｙＥｆｆｅｃｔａｎｄＣｈａｒｇｅｔｒａｎｓｐｏｒｔＭｅｃｈａｎｉｓｍｓｏｆ ＷｒｉｔｅｏｎｃｅｒｅａｄｍａｎｙｔｉｍｅｓＢｉｓｔａｂｌｅＤｅｖｉｃｅｓＢａｓｅｄｏｎ ＺｎＳＱｕａｎｔｕｍＤｏｔｓＥｍｂｅｄｄｅｄｉｎ Ｐｏｌｙ４ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｏｌＬａｙｅｒ １，２ ２ ２ ２ ＷＵＹａｎｙｕ ，ＺＨＡＮＧＸｉａｏｓｏｎｇ，ＸＵＪｉａｎｐｉｎｇ，ＮＩＵＸｉｐｉｎｇ， ２ １，２ ２ ２ ２ ＬＵＯＣｈｅｎｇｙｕａｎ，ＬＩＭｅｉｈｕｉ ，ＬＩＰｉｎｇ，ＳＨＩＱｉｎｇｌｉａｎｇ，ＬＩＬａｎ （１．ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＴｉａｎｊｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３００３８４，Ｃｈｉｎａ； ２．ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭａｔｅｒｉａｌＰｈｙｓｉｃｓ，ＴｉａｎｊｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＤｉｓｐｌａｙＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｄｅｖｉｃｅｓ（ＴｉａｎｊｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ），ＭｉｎｉｓｔｒｙｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ，Ｔｉａｎｊｉｎ３００３８４，Ｃｈｉｎａ） ＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇＡｕｔｈｏｒ，Ｅｍａｉｌ：ｌｉｌａｎ＠ｔｊｕｔ．ｅｄｕ．ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｗｒｉｔｅｏｎｃｅｒｅａｄｍａｎｙｔｉｍｅｓ（ＷＯＲＭ）ｂｉｓｔａｂｌｅｄｅｖｉｃｅｗａｓｐｒｅｐａｒｅｄ，ｉｎｗｈｉｃｈＺｎＳｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｓ ｄｏｐｅｄｐｏｌｙ４ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｏｌ（ＰＶＰ）ｌａｙｅｒｗａｓｓａｎｄｗｉｃｈｅｄｂｅｔｗｅｅｎＩＴＯａｎｏｄｅａｎｄＡｌｃａｔｈｏｄｅ．Ｃｕｒｒｅｎｔｖｏｌｔａｇｅ（ＩＶ） ４ ｃｕｒｖｅｓｓｈｏｗｅｄａｓｗｉｔｃｈｉｎｇｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｗｉｔｈａｌａｒｇｅＯＮ／ＯＦＦｒａｔｉｏｏｆ１０．Ｔｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｂｉｓｔａｂｉｌｉｔｙｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓａｎｄ ｃｈａｒｇｅｔｒａｎｓｐｏｒｔｍｅｃｈａｎｉｓｍｓｗｅｒｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄｉｎｄｅｔａｉｌｂａｓｅｄｏｎＩＶｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ．Ｔｈｅｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｓｉｎ ｂｏｔｈＯＮａｎｄＯＦＦｓｔａｔｅｓｗｅｒｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄｉｎｔｅｒｍｓｏｆｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌｍｏｄｅｌｓ．Ｔｈｅｄａｔａｒｅｔｅｎｔｉｏｎｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆ ｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｔｉｍｅ（Ｉｔ）ｃｕｒｖｅｅｘｈｉｂｉｔｅｄｐｅｒｍａｎｅｎｔｒｅｔｅｎｔｉｏｎａｂｉｌｉｔｙａｔａｍｂｉｅｎｔｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＯＢＤ；ＺｎＳｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｓ；ｃｈａｒｇｅｔｒａｎｓｐｏｒｔｍｅｃｈａｎｉｓｍ；ｐｏｌｙ４ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｏｌ ＣＬＣｎｕｍｂｅｒ：Ｏ６２６　　　Ｄｏｃｕｍｅｎｔｃｏｄｅ：Ａ　　　ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ０４２８ 基于ＺｎＳ量子点与聚合物混合层的有机双稳态器件的 记忆特性及其载流子传输机制