氧化钽及其缺陷态能带结构的第一性原理计算.docVIP

  氧化钽及其缺陷态能带结构的第一性原理 计算# 马浩，许程** 5 10 15 20 25 30 35 （中国矿业大学材料学院，江苏 徐州 221116） 摘要：Ta2O5 是一种在薄膜材料中具有重要用途的晶体材料。本文采用第一性原理平面波赝 势法，分别计算了本征态 Ta2O5 晶体以及存在 O 空位（Vo）、Ta 空位（VTa）、O 反替位 Ta（Ota）和 O 间隙（Oi）本征缺陷时 Ta2O5 晶体的态密度和能带结构，得到了不同的带隙 值并对计算结果进行了分析，该结果表明 O 反替位 Ta（OTa）缺陷存在时对 Ta2O5 晶体能带 结构的带隙值影响最大，其次是 O 空位（Vo）。 关键词：Ta2O5; 本征缺陷; 第一性原理；能带结构；态密度 中图分类号：TQ13 First-principle Calculation of the Band Gap Structures of Ta2O5 with and without Defects Ma Hao, Xu Cheng (School of Materials Science and Engineering,China University of Mining and Technology, JiangSu XuZhou 221116) Abstract: Ta2O5 is a very important crystal material in thin film material . Based on the plane wave ultrasoft pseudopotential method , we calculate the density of states and the band gap structures of the original state of Ta2O5 crystals as well as the existence of O vacancies (Vo), Ta vacancy (VTa), O counter for Ta（Ota）and O clearance defects（Oi）. We got the different band gap values and analyzed the calculated results. the results showed that the O counter for Ta（Ota） defects had the greatest effect to the band structure of Ta2O5 crystal, followed by O vacancies (Vo). Keywords: Ta2O5 crystals; original defects; first-principles; band structure; density of states 0 引言 由于 Ta2O5 具有许多优良的光电特性，使得它在众多领域都有广泛的应用。首先，Ta2O5 是一种重要的薄膜材料[1]。由于其是一种宽禁带化合物半导体材料，在可见光波长范围内， 具有较低的光学吸收和较高的折射率，在波长 550 nm 处，折射率约为 2.1，并且具有很宽的 光谱透过范围（300 nm~10 μm），因此被广泛的应用于各种光学器件，如增透膜[2]、反射膜 [3] 动态随机存储设备和金属氧化物半导体等领域的研究备受关注[5]。 但是，尽管 Ta2O5 具有很多优良的应用性能，对其本身性质的研究却并不充分，本文便 着眼于 Ta2O5 本征态和存在各种不同缺陷状态时的能带结构和态密度研究，并加以比较，为 后续对光电性能影响机理的探索提供一定理论依据。 1 理论模型构建 Ta2O5 有几种常见的空间构型，本文采用晶格常数为 a=12.7853，b=4.8537，c=5.5276， 基金项目：国家大学生创新训练计划项目（201211290106），高等学校博士学科点专项科研基金新教师类 资助课题（20110095120018）。 作者简介：马浩，（1991-），男，中国矿业大学本科生，主要研究方向：工程材料。 通信联系人：许程，（1981-），男，中国矿业大学材料学院副教授，主要研究方向：薄膜材料。 xucheng@cumt.edu.cn -1-   α=γ=90，β=104.264 的单斜相的 Ta2O5 进行计算，其空间群为 C12/c1,设置 2x2x1 的超晶胞[6]。 40 45 分别对本征态、O 空位（Vo）、Ta 空位（VTa）、O 反替位 Ta（Ota）和 O 间隙（Oi）本征 缺陷存在时的 Ta2O5 晶体的能带结构和态密度进行计算。 2 结果与分析 从本